[发明专利]沉积无氟/碳保形钨的方法

权利要求书

1.一种处理方法，包含以下步骤：将基板顺序地暴露至第一反应气体及第二反应气体以形成含钨膜，所述第一反应气体包含含钨化合物，所述含钨化合物包含具有经验式W_xCl_5x的化合物。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述第二反应气体包含含氢化合物且所述含钨膜为钨膜。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述第二反应气体包含含氮化合物且所述含钨膜包含氮化钨。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述第二反应气体包含含硅化合物且所述含钨膜包含硅化钨(WSi_x)。

5.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述第二反应气体进一步包含氢。

6.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述第二反应气体包含含硅化合物及含氮化合物的混合物且所述含钨膜包含钨硅氮化物(WSi_xN_y)。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述基板维持在小于约475℃的温度下。

8.如权利要求1、2或7任一项所述的方法，其中所述含钨膜基本上由钨组成。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述基板包含功函数金属。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述功函数金属包含Ti。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述功函数金属包含TiAl。

12.如权利要求8所述的方法，其中在所述功函数金属与基本上由钨组成的所述膜之间不存在介入层。

13.如权利要求8所述的方法，其中在所述功函数金属与基本上由钨组成的所述膜之间存在介入层，所述介入层具有小于约5埃的厚度。

14.一种处理方法，包含以下步骤：

将基板定位在处理腔室内；及

在小于或等于约475℃的温度下将所述基板的至少一部分顺序地暴露至第一反应气体及第二反应气体以形成含钨膜，所述第一反应气体包含五氯化钨、具有经验式W_xCl_5x的化合物或六氯化钨中的一或多种。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述第二反应气体包含含氢化合物且所述含钨膜为钨膜。

16.如权利要求14所述的方法，其中所述第二反应气体包含含氮化合物且所述含钨膜包含氮化钨。

17.如权利要求14所述的方法，其中所述第二反应气体包含含硅化合物且所述含钨膜包含硅化钨(WSi_x)。

18.如权利要求14到17任一项所述的方法，其中所述第二反应气体进一步包含氢。

19.如权利要求14至17中任一项所述的方法，其中所述第二反应气体包含含硅化合物及含氮化合物的混合物，且所述含钨膜包含钨硅氮化物(WSi_xN_y)。

20.如权利要求14至17中任一项所述的方法，其中在沉积所述含钨膜之前，所述基板包含金属层。

21.如权利要求14至17中任一项所述的方法，其中在沉积所述含钨膜之前，所述基板包含氧化层，且所述方法进一步包含以下步骤：在约5托至约20托的范围内的分压下以二硅烷，或氢与硅烷的混合物浸渍所述基板。

22.如权利要求14至17中任一项所述的方法，其中所述含钨膜以在约循环及约循环的范围内的速率生长。

23.一种沉积WSi_x膜的方法，所述方法包含：

将基板定位于处理腔室中；及

在小于或等于约475℃的温度下将所述基板的至少一部分顺序地暴露至第一反应气体及第二反应气体以形成WSi_x膜，

其中所述第一反应气体包含五氯化钨、具有经验式W_xCl_5x的化合物或六氯化钨中的一或多种且所述第二反应气体包含含硅气体，含硅气体与含钨气体之比在约100:2至约100:0.2的范围内。