[发明专利]发光二极管、发光二极管灯和照明装置

说明书

技术领域

本发明涉及发光二极管、发光二极管灯和照明装置，特别涉及适合于高亮度发光的发光二极管、发光二极管灯和照明装置。

本申请基于2012年10月16日在日本提出的日本专利申请2012-229183号要求优先权，将其内容援引于此。

背景技术

以往，作为发出红色、红外光的高亮度的发光二极管(英文简称：LED)，已知例如具备由砷化铝镓(组成式Al_XGa_1-XAs；0≤X≤1)形成的发光层、由砷化铟镓(组成式In_XGa_1-XAs；0≤X≤1)形成的发光层的化合物半导体发光二极管。另一方面，作为发出红色、橙色、黄色或黄绿色的可见光的高亮度的发光二极管，已知例如具备由磷化铝镓铟(组成式(Al_XGa_1-X)_YIn_1-YP；0≤X≤1，0＜Y≤1)形成的发光层的化合物半导体发光二极管。作为这些化合物半导体发光二极管的基板，一般地使用相对于从发光层射出的光在光学上不透明、并且在机械强度上也没有那么高的砷化镓(GaAs)等的基板材料。

因此，最近，为了得到更高亮度的LED，并且以进一步的元件的机械强度、散热性的提高为目的，公开了构成接合型LED的技术。该技术将对于发射的光不透明的基板材料除去后，重新接合将发射的光透射或反射、并且由机械强度、散热性优异的材料形成的支持基板，构成接合型LED(例如，参照专利文献1～7)。

在先技术文献

专利文献1：日本特开2001-339100号公报

专利文献2：日本特开平6-302857号公报

专利文献3：日本特开2002-246640号公报

专利文献4：日本专利第2588849号公报

专利文献5：日本特开2001-57441号公报

专利文献6：日本特开2007-81010号公报

专利文献7：日本特开2006-32952号公报

发明内容

在高亮度发光二极管中，为了能够向表面电极供给大电流，期望表面电极具有充分大小的焊盘(bonding pad)。但是，该焊盘存在吸收在发光部发出的光，使光提取效率降低的问题。表面电极的盘部的光吸收问题在高亮度发光二极管中特别显著。

本发明是鉴于上述状况而完成的，其目的是提供表面电极的光吸收被减少、并且通过将夹持化合物半导体层的欧姆电极的配置关系改良，从而在维持高发光输出的状态下，达成低正向电压的发光二极管、发光二极管灯和照明装置。

为达成上述目的，从排除发出的光的吸收原因的观点出发，采用了将生长用基板除去而贴附于光吸收较少的支持基板的结构。另外，从该观点出发，为了减少表面电极的盘(焊盘)部的光的吸收，采用了在表面电极的盘部正下方不发光的结构。另外，发现分散配置于包含发光层的化合物半导体层的半导体基板侧的多个欧姆接触电极之中，规定比例的欧姆接触电极配置在俯视时与连结表面电极的盘部的线状部重叠的位置的结构，在维持高发光输出的状态下达成低正向电压，从而完成了本发明。以往，是将分散配置于包含发光层的化合物半导体层的半导体基板侧的多个欧姆接触电极，配置在俯视时不与连结表面电极的盘部的线状部重叠的位置的构成，电流扩散到元件整体，认为是优选的。

即，为达成上述目的，本发明采用了以下结构。

(1)本发明的一方式涉及的发光二极管，在半导体基板上依次具备接合层、包含金属反射膜的反射构造部、和化合物半导体层，所述化合物半导体层包含发光层和夹持该发光层的第1覆盖层及第2覆盖层，在所述金属反射膜与所述化合物半导体层之间设置多个点状的欧姆接触电极，在所述化合物半导体层的与所述半导体基板的相反侧依次设置有欧姆电极和表面电极，所述表面电极包含盘部和与该盘部连结的多个线状部，所述欧姆电极的表面由所述线状部覆盖，所述欧姆接触电极和所述欧姆电极形成在俯视时不与所述盘部重叠的位置，所述多个欧姆接触电极之中，5％以上40％以下的欧姆接触电极配置在俯视时与所述线状部重叠的位置。

(2)上述(1)所述的发光二极管中，所述盘部在俯视时可以为圆形。

(3)上述(1)或(2)的任一项所述的发光二极管中，所述线状部可以包含2条第1直线部和多条第2直线部，所述2条第1直线部在通过所述盘部的中心的直线上夹着所述盘部的直径从周端起沿该直线方向延伸，所述多条第2直线部沿相对于该第1直线部正交的方向延伸。