[发明专利]发光二极管、发光二极管灯和照明装置

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于，在半导体基板上依次具备接合层、包含金属反射膜的反射构造部、和化合物半导体层，所述化合物半导体层包含发光层和夹持该发光层的第1覆盖层及第2覆盖层，在所述金属反射膜与所述化合物半导体层之间设置多个点状的欧姆接触电极，在所述化合物半导体层的与所述半导体基板的相反侧依次设置有欧姆电极和表面电极，所述表面电极包含盘部和与该盘部连结的多个线状部，所述欧姆电极的表面由所述线状部覆盖，所述欧姆接触电极和所述欧姆电极形成在俯视时不与所述盘部重叠的位置，所述多个欧姆接触电极之中，5％以上40％以下的欧姆接触电极配置在俯视时与所述线状部重叠的位置。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述盘部在俯视时为圆形。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述线状部包含2条第1直线部和多条第2直线部，所述2条第1直线部在通过所述盘部的中心的直线上夹着所述盘部的直径从周端起沿该直线方向延伸，所述多条第2直线部沿相对于该第1直线部正交的方向延伸。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述线状部包含与圆形的所述盘部的周端接触并延伸的2条第2直线部。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述反射构造部包含透明电介质膜和金属膜。

6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述透明电介质膜的厚度为发光二极管发光的波长的透明电介质膜中的波长的3/4倍或5/4倍。

7.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述透明电介质膜为SiO₂。

8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述盘部包含多个圆形盘。

9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述半导体基板由Ge、Si、GaP、GaAs的任一种构成。

10.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述接合层包含Au层、AuGe层、AuSn层、AuSi层、AuIn层的任一种的组合。

11.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光层由AlGaAs、InGaAs、GaInP、或AlGaInP的任一种构成。

12.一种发光二极管灯，其特征在于，具备权利要求1所述的发光二极管。

13.一种照明装置，搭载了权利要求1所述的多个发光二极管。