[发明专利]使用由载体铜箔支撑的薄铜箔制作封装体的方法

权利要求书

1.一种创建封装体的方法，所述方法包括：

提供初始基底，其中所述初始基底包括

第一箔，

第二箔，以及

在所述第一箔与所述第二箔之间的界面释放层，其中所述界面释放层被配置用于允许后续从所述第二箔剥离和释放所述第一箔；

在所述第二箔上构建多个铜部分；

将芯片附接到所述多个铜部分中的第一铜部分；

将所述芯片耦合到所述多个铜部分中的第二铜部分；

利用模制体密封至少所述芯片和所述多个铜部分；以及

在利用所述模制体密封至少所述芯片和所述多个铜部分之后，从所述封装体去除所述第一箔和所述界面释放层，

其中所述第一箔为载体箔，并且所述第二箔为功能性箔。

2.根据权利要求1所述的方法，其中构建所述多个铜部分包括：

执行光刻操作，以创建光致抗蚀剂材料的部分；

在所述光致抗蚀剂材料的部分之间镀覆铜；以及

去除所述光致抗蚀剂材料的部分，以创建所述多个铜部分。

3.根据权利要求2所述的方法，其中去除所述光致抗蚀剂材料的部分包括：去除所述第二箔的在所述多个铜部分之间的部分。

4.根据权利要求3所述的方法，其中去除所述第二箔的在所述多个铜部分之间的部分包括：去除所述第二箔的在所述多个铜部分之间的部分，使得所述第二箔的在所述多个铜部分之下的部分被去除以由此露出每个铜部分的底表面。

5.根据权利要求4所述的方法，其中利用模制体密封至少所述芯片和所述多个铜部分包括：利用所述模制体密封至少所述芯片和所述多个铜部分，使得所述模制体的部分位于所述第二箔与所述多个铜部分的露出的底表面之间。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述第二铜部分上形成金属部分，其中所述金属部分比所述第二铜部分宽。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述界面释放层包括铬。

8.根据权利要求1所述的方法，其中将所述芯片耦合到所述第二铜部分包括：经由导线键合工艺将所述芯片耦合到所述第二铜部分。

9.根据权利要求1所述的方法，其中将所述芯片附接到所述第一铜部分包括：经由芯片倒装附接工艺将所述芯片附接到所述第一铜部分。

10.根据权利要求1所述的方法，其中将所述芯片附接到所述第一铜部分包括：经由环氧树脂或胶将所述芯片附接到所述第一铜部分。

11.根据权利要求1所述的方法，还包括将焊料球附接到所述多个铜部分下方的所述第二箔。

12.根据权利要求1所述的方法，其中在所述第二箔上构建多个铜部分包括：形成所述多个铜部分，使得至少所述第二铜部分的第一部分比所述第二铜部分的第二部分宽，其中所述第二部分与所述第二箔邻近。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一箔包括载体铝箔。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二箔包括功能性铜箔。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二箔包括功能性铝箔。

16.根据权利要求1所述的方法，其中去除所述第一箔和所述界面释放层包括：

从所述第二箔剥离所述第一箔以去除所述第一箔和所述界面释放层。

17.根据权利要求1所述的方法，其中去除所述第一箔和所述界面释放层包括：

加热所述界面释放层；以及

基于加热所述界面释放层，从所述第二箔剥离所述第一箔以去除所述第一箔和所述界面释放层。