[发明专利]碳化硅半导体基板及其制造方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请基于2012年10月2日申请的日本申请号2012－220403号，此处引用其记载内容。

技术领域

本申请涉及从由碳化硅(以下称为SiC)构成的籽晶制造的SiC半导体基板(以下称为SiC晶片)及其制造方法。

背景技术

以往，在SiC晶片制造中，晶片品质非常大地受到结晶生长时的籽晶的品质的影响(例如参照专利文献1)。因此，结晶缺陷少的高品质的籽晶在制造高品质的SiC晶片上是重要的。从而，在工序内以及输送上严格管理高品质的籽晶是不可缺少的，越是能够制造高品质晶片的籽晶，防患于未然地防止作为高附加价值品的风险(盗窃/丢失)的手段越是不可缺少的。在此基础上，采取用于确定在市场上流通的晶片的制造工序中使用的籽晶的手段(可追溯性)，对将上述风险防患于未然来说是有效的。因此，以往，一般实施在晶片制造工序中的加工工序内对每个晶片实施编号，能够通过编号确认来判明制造源，从而实现上述的风险的避免。

但是，上述的编号是用于识别在对晶片上进行了加工之后的晶片而实施的，并不是在使用想要进行风险避免的高品质的籽晶进行结晶生长的情况下自动地将其履历刻印在晶片上。从而，在刻印前通过非法的手段获得了高品质的籽晶的情况下，即使使用该籽晶进行结晶生长而进行了晶片制作，也不能判别是否使用了该籽晶，不能实现上述的风险避免。此外，关于从自籽晶生长的SiC单晶切出的SiC晶片，在刻印前通过非法的手段获得的情况下，即使将其新用作籽晶进行结晶生长而进行了晶片制作，可以说也与上述相同。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特许第3745668号公报

发明内容

本申请的目的之一在于提供在将碳化硅半导体基板用作籽晶而使碳化硅单晶生长时能够确认被用作籽晶一事的碳化硅半导体基板。此外，本申请的其他目的在于提供在将碳化硅半导体基板用作籽晶而使碳化硅单晶生长时能够确认被用作籽晶一事的碳化硅半导体基板的制造方法。

本申请的一个方式所涉及的碳化硅半导体基板由碳化硅单晶构成，至少在表面上形成有以结晶缺陷构成的作为识别显示的刻印。

在将所述碳化硅半导体基板用作籽晶而使碳化硅单晶生长时，刻印能够在所述碳化硅单晶上作为结晶缺陷而传播。因此，能够确认所述碳化硅半导体基板被用作籽晶的情况。

在本申请的其他方式所涉及的碳化硅半导体基板的制造方法中，准备由单晶的碳化硅构成的籽晶，在所述籽晶的至少表面上形成以结晶缺陷构成的作为识别显示的刻印。在形成有所述刻印的所述籽晶的表面上，使碳化硅单晶生长，从而在该生长方向上一边使所述刻印传播一边使所述碳化硅单晶生长。通过将传播了所述刻印的所述碳化硅单晶切出并进行切割(slice)，从而形成被形成有所述刻印的状态的碳化硅半导体基板。

在将所述碳化硅半导体基板用作籽晶而使碳化硅单晶生长时，刻印能够在所述碳化硅单晶上作为结晶缺陷而传播。因此，能够确认所述碳化硅半导体基板被用作籽晶一事。

附图说明

本申请的上述目的或其他目的、结构或优点通过一边参照下述附图一边进行下述的详细说明而变得更为明确。在附图中：

图1是表示在本申请的第一实施方式所涉及的籽晶上使SiC单晶生长时的情形的立体图。

图2A是表示刻印的上表面布局的一例的图。

图2B是所述刻印的沿着图2A的IIB－IIB线的剖面图。

图3是表示籽晶中的刻印的配置部位的图。

图4是表示从SiC单晶切出了SiC晶片时的情形的图。

图5是表示本申请的第二实施方式所涉及的籽晶中的刻印的配置部位的图。

图6是表示本申请的第三实施方式所涉及的籽晶中的刻印的配置部位的图。

图7是表示本申请的第四实施方式所涉及的籽晶中的刻印的配置部位的图。

具体实施方式

以下，基于图说明本申请的实施方式。另外，在以下的各实施方式彼此中，对相互相同或等同的部分赋予相同标记而进行说明。

(第一实施方式)

说明本申请的第一实施方式。如图1所示，准备由高品质的SiC晶片构成的籽晶1。可以使用以往公知的任意方法作为由高品质的SiC构成的籽晶1的形成方法。此外，关于此时所准备的籽晶1的多晶型，也可以是6H、4H、3H等任意的多晶型，关于面方位，也可以是a面、c面的Si面、c面的C面等任意的面方位。