[发明专利]碳化硅半导体基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201380051807.1 | 申请日： | 2013-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN104704607B | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 山内庄一;平野尚彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 高迪 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 及其 制造 方法 | ||
1.一种碳化硅单晶，其特征在于，
至少在表面形成有以结晶缺陷构成的作为识别显示的刻印(2)，所述刻印(2)是在所述碳化硅单晶的生长方向上传播、并且从所述碳化硅单晶的所述表面向内面贯通的构造的结晶缺陷。
2.如权利要求1所述的碳化硅单晶，其特征在于，
所述刻印(2)之中的全部或一部分以从所述表面向所述内面贯通的结晶缺陷构成。
3.如权利要求1或者2所述的碳化硅单晶，其特征在于，
所述刻印(2)在外缘部的一处或多处形成。
4.如权利要求1或者2所述的碳化硅单晶，其特征在于，
所述刻印(2)由字符、数字、条形码以及作为注册商标的快速响应码之中的一个或多个的组合而构成。
5.一种碳化硅半导体基板的制造方法，其特征在于，包含：
准备由单晶的碳化硅构成的籽晶(1)的工序；
在所述籽晶(1)的至少表面形成以结晶缺陷构成的作为识别显示的刻印(2)的工序；
在形成有所述刻印(2)的所述籽晶(1)的表面，使碳化硅单晶(3)生长，从而在该生长方向上一边使所述刻印(2)传播一边使所述碳化硅单晶(3)生长来形成所述刻印(2)从表面向内面贯通的碳化硅单晶的工序；以及
将传播了所述刻印(2)的所述碳化硅单晶(3)切出并进行切割，从而形成被形成有所述刻印(2)的状态的碳化硅半导体基板(4)的工序。
6.如权利要求5所述的碳化硅半导体基板的制造方法，其特征在于，
在形成所述刻印(2)的工序中，通过激光加工、基于金刚石刀具的切削加工、干法蚀刻或离子注入来形成所述刻印(2)。
7.如权利要求5或者6所述的碳化硅半导体基板的制造方法，其特征在于，还包含：
将切出所述碳化硅单晶(3)后的所述籽晶(1)或所述碳化硅半导体基板(4)作为籽晶，再次使碳化硅单晶(3)生长，从而在该生长方向上一边使所述刻印(2)传播一边使所述碳化硅单晶(3)生长的工序；以及
进而将传播了所述刻印(2)的所述碳化硅单晶(3)切出并进行切割，从而再次形成被形成有所述刻印(2)的状态的碳化硅半导体基板(4)的工序。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
