[发明专利]导电图案的制造方法

权利要求书

1.导电图案的制造方法，其具备如下曝光工序：用具有广谱的光对包含导电性颗粒A、作为具有聚合性不饱和双键的化合物的有机化合物B和光聚合引发剂C的基板上的膜或图案进行曝光，从而得到导电膜或导电图案，

其特征在于，通过下述工序1或工序2而得到导电图案，

工序1：用具有广谱的光对基板上的膜以形成曝光部、非曝光部的方式进行曝光，通过显影除去未曝光部分的工序，

工序2：对基板上的膜以形成曝光部、非曝光部的方式进行预曝光，通过显影除去未曝光部分而得到图案后，对于得到的图案用具有广谱的光进行曝光的工序。

2.根据权利要求1所述的导电图案的制造方法，其具备进一步用具有广谱的光对所述导电图案进行曝光的第二曝光工序。

3.根据权利要求1或2所述的导电图案的制造方法，其中，所述具有广谱的光的最小波长和最大波长在200nm~3000nm的范围内。

4.根据权利要求1或2所述的导电图案的制造方法，其中，所述具有广谱的光为选自氙气灯的光、氙气闪光灯的光、以及卤素灯的光中的光。

5.根据权利要求1或2所述的导电图案的制造方法，其中，所述曝光工序中，对波长不足400nm的光进行遮光。

6.根据权利要求1或2所述的导电图案的制造方法，其中，所述导电性颗粒A的体积平均粒径为0.05~5μm。

7.根据权利要求1或2所述的导电图案的制造方法，其中，所述导电性颗粒A的体积平均粒径为1~5μm。

8.根据权利要求1或2所述的导电图案的制造方法，其中，所述有机化合物B进一步具有缩水甘油基或羧基。

9.根据权利要求1或2所述的导电图案的制造方法，其中，所述膜或图案在400nm以上的波长区域具有吸收带。

10.根据权利要求1或2所述的导电图案的制造方法，其中，所述曝光工序中，脉冲照射具有广谱的光。

11.根据权利要求1或2所述的导电图案的制造方法，其中，所述基板为玻璃板或膜。

12.根据权利要求1或2所述的导电图案的制造方法，其中，所述基板的表面被选自透明导电膜、装饰膜和绝缘膜中的膜所覆盖。

13.根据权利要求1或2所述的导电图案的制造方法，其中，所述导电图案的膜厚为1~30μm。

14.根据权利要求1或2所述的导电图案的制造方法，其中，所述导电图案的线宽为10~100μm。

15.根据权利要求1或2所述的导电图案的制造方法，其中，所述导电图案的有机成分含量为5质量%以上且不足40质量%。

16.接触式传感器，其具备利用权利要求1~15中任一项所述的导电图案的制造方法制造得到的导电图案。

17.触摸面板，其具备权利要求16所述的接触式传感器。

18.显示面板，其具备权利要求17所述的接触式传感器。