[发明专利]光电组件有效

专利信息
申请号: 201380051252.0 申请日: 2013-09-27
公开(公告)号: CN104718672B 公开(公告)日: 2018-09-11
发明(设计)人: 保罗·弗思 申请(专利权)人: 奥兰若技术有限公司
主分类号: H01S5/024 分类号: H01S5/024;H01S5/022
代理公司: 北京润平知识产权代理有限公司 11283 代理人: 孙向民;肖冰滨
地址: 英国北*** 国省代码: 英国;GB
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摘要:
搜索关键词: 光电 组件
【说明书】:

发明涉及一种光电组件。所述光电组件包括一个或多个光电元件和壳体。所述壳体包括电连接至所述一个或多个光电元件的外壁。所述壳体被配置成提供所述一个或多个光电元件与外部电子设备之间的电接口。所述外壁和所述一个或多个光电元件之间的所述电连接包括导电元件。所述导电元件被支撑在介电材料上,以使得所述介电材料为所述一个或多个光电元件和所述外壁之间的所述导电元件提供结构支撑。

技术领域

本发明涉及一种光电组件。特别地,本发明涉及一种在一个或多个光电元件和壳体的外壁之间提供低导热率的光电组件。

背景技术

在光网络中,将网络内的光电设备的光电元件保持在稳定的温度是理想的。通常,该所需的稳定温度低于光电设备外部的环境的温度,因此光电元件需要被冷却。

例如,高功率光纤网络激光器封装通常以高密度被布置在框架中以减少它们占用的空间。这种高密度的布置使得大量的电气元件靠近放置,从而增加了激光器封装外部的周边区域的温度。通常,该外部温度可达到85℃甚至更高。

为了确保在激光器封装内的光电元件的正确运行,这些元件的温度应该被保持在稳定的水平且远低于85℃。因此,激光器封装内的光电元件的温度要被精确地控制。

控制光电元件的温度的其中一种方法是使用热电制冷。热电冷却器(TEC)被放置成与光电元件热连通,并且利用珀尔帖效应(Peltier effect)将热量从光电元件带走。为了提供这种功能,TEC需要使用电源。

发明内容

根据本发明的第一个方面,提供了一种光电组件。该光电组件包括:一个或多个光电元件以及壳体。所述壳体包括电连接至所述一个或多个光电元件的外壁。所述壳体被配置成提供所述一个或多个光电元件与外部电子设备之间的电接口。所述外壁和所述一个或多个光电元件之间的所述电连接包括导电元件。所述导电元件被支撑在介电材料上,以使得所述介电材料为所述一个或多个光电元件和所述外壁之间的所述导电元件提供结构支撑。

所述导电元件的厚度可在0.1μm至0.5μm的范围内。所述导电元件的宽度可在25μm至35μm的范围内。厚度和宽度的减小将导致导电元件的横截面的减小,并且意味着沿导电元件传递的热量减小。

可选择地,所述导电元件的横截面积在2.5×10-12m2至1.75×10-11m2的范围内。该横截面积可通过具有任何形状的横截面的导电元件来提供。示例性的横截面是矩形或圆形的。

可选择地,所述介电材料是柔性的。这使得所述光电元件能够相对于所述外壁移动,而不会损坏所述导电元件。

可选择地,所述介电材料包括第一介电层和第二介电层,所述导电元件设置在所述第一介电层和所述第二介电层之间。所述第一层和第二层可被形成为单件的介电材料,以使得所述介电材料可以侧向地包围导电元件。

可选择地,所述第一介电层和所述第二介电层的每个的厚度在4μm至8μm的范围内。如果介电材料侧向围绕导电元件,那么介电材料在导电元件的上方和下方的厚度可以在4μm至8μm的范围内。

可选择地,所述第一介电层和所述第二介电层的每个的厚度(或者介电材料在导电材料的上方和下方的厚度)在13μm至17μm的范围内。

可选择地,所述第一介电层和所述第二介电层的每个的宽度在35μm至55μm的范围内。

可选择地,所述介电材料的每侧比所述导电元件宽8μm至12μm。如果介电材料侧向围绕导电元件,那么介电材料的导电元件的任一侧的厚度可以在8μm至12μm的范围内。

可选择地,所述导电元件在所述介电材料上遵循一个间接的路径。

可选择地,所述电连接部包括多个导电元件,每个导电元件被布置所述介电材料上。

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