[发明专利]光电转换元件

说明书

技术领域

本发明涉及光电转换元件以及光电转换元件的制造方法。

背景技术

近年，尤其从地球环境问题的观点出发，将太阳光能直接转换为电能的太阳电池作为下一代能源的期待急剧提高。在太阳电池中，有使用了化合物半导体或者有机材料的太阳电池等各种种类的太阳电池，但当前成为主流的是使用了硅晶的太阳电池。

现在，制造以及销售最多的太阳电池是在太阳光入射的侧的面即受光面和受光面的相反侧即背面分别形成了电极的结构的太阳电池。

但是，在受光面形成了电极的情况下，由于因电极中的太阳光的反射以及吸收，所以入射的太阳光的量减少相应于电极的面积的量。因此，正在推进例如在特开2010-80887号公报(专利文献1)中所示的只在背面形成了电极的太阳电池的开发。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2010-80887号公报

发明内容

发明要解决的课题

以下，参照图28～图44的示意性剖视图，说明只在背面形成了电极的太阳电池的制造方法的一例。首先，如图28所示，在由在受光面形成了纹理结构(未图示)的n型的单晶硅构成的c-Si(n)基板901的背面上，形成i型的非晶硅膜和p型的非晶硅膜按照这个顺序层叠的a-Si(i/p)层902。

接着，如图29所示，在c-Si(n)基板901的受光面上，形成i型的非晶硅膜和n型的非晶硅膜按照这个顺序层叠的a-Si(i/n)层903。

接着，如图30所示，在a-Si(i/p)层902的一部分的背面上形成光刻胶膜904。这里，通过在a-Si(i/p)层902的背面的整个面涂布了光刻胶之后，通过光蚀刻微影(Photolithography)技术以及蚀刻技术而对光刻胶进行图案形成，从而形成光刻胶膜904。

接着，如图31所示，以光刻胶膜904作为掩模，对a-Si(i/p)层902的一部分进行蚀刻，从而使c-Si(n)基板901的背面曝光。

接着，如图32所示，在去除了光刻胶膜904之后，如图33所示，以覆盖去除光刻胶膜904而曝光的a-Si(i/p)层902的背面以及通过蚀刻而曝光的c-Si(n)基板901的背面的方式，形成i型的非晶硅膜和n型的非晶硅膜按照这个顺序层叠的a-Si(i/n)层905。

接着，如图34所示，在a-Si(i/n)层905的一部分的背面上形成光刻胶膜906。这里，通过在a-Si(i/n)层905的背面的整个面涂布了光刻胶之后，通过光蚀刻微影技术以及蚀刻技术而对光刻胶进行图案形成，从而形成光刻胶膜906。

接着，如图35所示，以光刻胶膜906作为掩模，对a-Si(i/n)层905的一部分进行蚀刻，从而使a-Si(i/p)层902的背面曝光。

接着，如图36所示，在去除了光刻胶膜906之后，如图37所示，以覆盖去除光刻胶膜906而曝光的a-Si(i/n)层905的背面以及通过蚀刻而曝光的a-Si(i/p)层902的背面的方式，形成透明导电氧化膜907。

接着，如图38所示，在透明导电氧化膜907的一部分的背面上形成光刻胶膜908。这里，通过在透明导电氧化膜907的背面的整个面涂布了光刻胶之后，通过光蚀刻微影技术以及蚀刻技术而对光刻胶进行图案形成，从而形成光刻胶膜908。

接着，如图39所示，以光刻胶膜908作为掩模，对透明导电氧化膜907的一部分进行蚀刻，从而使a-Si(i/p)层902以及a-Si(i/n)层905的背面曝光。

接着，如图40所示，在去除了光刻胶膜908之后，如图41所示，以覆盖a-Si(i/p)层902以及a-Si(i/n)层905的曝光的背面以及透明导电氧化膜907的一部分的背面的方式，形成光刻胶膜909。这里，通过在a-Si(i/p)层902以及a-Si(i/n)层905的曝光的背面以及透明导电氧化膜907的背面的整个面涂布了光刻胶之后，通过光蚀刻微影技术以及蚀刻技术而对光刻胶进行图案形成，从而形成光刻胶膜909。

接着，如图42所示，在透明导电氧化膜907以及光刻胶膜909的背面的整个面形成背面电极层910。

接着，如图43所示，通过剥离(lift-off)而去除光刻胶膜909以及背面电极层910，使得只在透明导电氧化膜907的表面的一部分残留背面电极层910。

接着，如图44所示，在a-Si(i/n)层903的表面上形成反射防止膜911。