[发明专利]光电转换元件有效
申请号: | 201380049644.3 | 申请日: | 2013-09-19 |
公开(公告)号: | CN104685639B | 公开(公告)日: | 2016-11-30 |
发明(设计)人: | 原田真臣;木本贤治;小出直城;山元良高;中村京太郎 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/0747 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 戚传江;谢丽娜 |
地址: | 日本大阪*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 转换 元件 | ||
1.一种光电转换元件,包括:
第一导电型的半导体基板;
第一导电型的第一半导体膜,设置在所述半导体基板的一个表面上;
第二导电型的第二半导体膜,与所述第一半导体膜独立地设置在所述表面上;以及
介质膜,设置在所述半导体基板和所述第一半导体膜之间以及所述半导体基板和所述第二半导体膜之间的至少任一方,
在所述第一半导体膜上以及所述第二半导体膜上形成有金属间化合物层。
2.如权利要求1所述的光电转换元件,
在所述半导体基板的所述表面设置有槽,
在所述槽的底面设置有所述第二半导体膜。
3.如权利要求1所述的光电转换元件,
在所述半导体基板的一个表面上,所述第一半导体膜和所述第二半导体膜隔离而设置,
在所述第一半导体膜和所述第二半导体膜之间设置有绝缘膜。
4.如权利要求1至3的任一项所述的光电转换元件,
所述金属间化合物层是金属硅化物层以及金属锗化物层的至少任一个。
5.如权利要求4所述的光电转换元件,
所述金属锗化物层是由至少一种金属和锗构成的化合物层,该至少一种金属从由镍、钴以及钛构成的群中选择。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的