[发明专利]用于非易失性存储器的互补解码

说明书

技术领域

本发明一般来说涉及存储器，且特定来说在一或多个实施例中，本发明涉及存储器装置中的互补偏压电路。

背景技术

存储器装置通常经提供作为计算机或其它电子系统中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、相变存储器(PCM)及快闪存储器。

非易失性存储器是可在不施加电力的情况下将其所存储的数据保持达某一延长周期的存储器。快闪存储器装置已发展成用于各种各样的电子应用的非易失性存储器的普遍来源。快闪存储器装置常用于例如以下各项的电子系统中：个人计算机、个人数字助理(PDA)、数码相机、数字媒体播放器、数字记录器、游戏、电器、交通工具、无线装置、蜂窝式电话及可抽换式存储器模块，且快闪存储器的使用不断扩大。

快闪存储器装置通常使用允许高存储器密度、高可靠性及低电力消耗的单晶体管存储器单元。单元的阈值电压的改变(通过对电荷存储结构(例如，浮动栅极或陷获层)的编程或其它物理现象)确定每一单元的数据状态。快闪存储器装置通常需要相对大的电压来进行编程及擦除操作。举例来说，快闪存储器装置可具有3V的供应电压(例如，Vcc)，但需要在对存储器单元阵列的编程及/或擦除操作期间使用15V或更高的电压(例如，Vpgm)。然而，举例来说，快闪存储器的感测(例如，读取)操作可能仅需要Vcc或更小的电压。

PCM是可提供非易失性存储但与快闪存储器相比具有相对更快速操作的潜能的电阻性存储器技术。如名称所暗示，PCM在其改变相位以便以非易失性方式存储数据时使用材料的电阻的改变。举例来说，不同元素的合金可能从具有低电阻的结晶相改变为具有高电阻的非晶相。如果材料可展现多个明显不同电阻，那么每一不同电阻可被指派一相应数据值(例如，00、01、10、11)。

PCM中的相变通过在对每一存储器单元进行寻址时将其相变材料加热而产生。此可由用于每一存储器单元的加热器完成。当通过电流启用加热器时，其将硫属化合物合金(例如，锗、锑及碲(GeSbTe)或GST)加热。当将GST加热到相对高温度(例如，600℃以上)时，其失去硫属化合物结晶性。GST冷却成具有高电阻的类似非晶玻璃的状态。通过将硫属化合物合金加热到高于其结晶点但低于熔点的温度，其将转换回到具有较低电阻的结晶状态。

存储器装置中对较高操作速度及较大存储容量的需求不断增加。此需求伴随有对减少在存储器装置内传播的信号的延时以便促成操作速度的所要增加的需要。根据对减少存储器装置中的总体延时的需求，这些信号的延时可为累积的且不合意的。存储器装置中的延时的一个根源为通常称为解码器电路的电路(例如，(若干)电路)。在这些信号通过存储器装置中的解码器电路的一或多个层级(例如，层)传播时，这些解码器电路引入延迟(例如，增加信号延时)。

出于上文所陈述的原因，且出于下文所陈述的所属领域的技术人员在阅读及理解本说明书后将明了的其它原因，此技术领域中需要促成在存储器装置内传播的信号的延迟的减少的解码器电路。

附图说明

图1图解说明NAND配置存储器单元阵列的示意性表示。

图2图解说明相变存储器单元阵列的示意性表示。

图3是根据本发明的一实施例的解码器电路的示意性表示。

图4是根据本发明的一实施例的存储器装置的一部分的示意性表示。

图5是根据本发明的一实施例的存储器装置的一部分的示意性表示。

图6图解说明根据本发明的一实施例的配置存储器装置中的解码器电路的流程图。

图7是根据本发明的一实施例的耦合到作为电子系统的部分的存储器存取装置的存储器装置的简化框图。

具体实施方式

在本发明的以下详细说明中，参考形成本发明的一部分且其中以图解说明方式展示特定实施例的附图。在图式中，遍及数个视图相似编号描述实质上类似的组件。可利用其它实施例，且可在不背离本发明的范围的情况下做出结构、逻辑及电改变。因此，不应在限制意义上理解以下详细说明。