[发明专利]半导体元件

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：元件活性部，所述元件活性部位于基板第1主面侧，并主动或被动地使电流流通；第1导电型低电阻层，所述第1导电型低电阻层位于所述基板的第2主面侧的表面层；以及，纵型漂移部，所述纵型漂移部介于所述元件活性部与所述第1导电型低电阻层之间，在导通状态下，漂移电流沿纵向流通，并且在截止状态下耗尽，所述纵型漂移部构成第1并联pn结构，所述第1并联pn结构将沿所述基板的厚度方向取向的第1纵型第1导电型区域与沿所述基板的厚度方向取向的第1纵型第2导电型区域交替重复接合而成，该半导体元件的特征在于，包括：

元件边缘部，所述元件边缘部在所述纵型漂移部周围介于所述第1主面与所述第1导电型低电阻层之间，在导通状态下大致为非电路区域，并且在截止状态下耗尽；

第1导电型层，在所述第1并联pn结构与所述第1导电型低电阻层之间，从所述元件活性部到所述元件边缘部设置有所述第1导电型层，其电阻高于所述第1导电型低电阻层；

第2导电型低电阻层，所述第2导电型低电阻层选择性地设置在所述元件边缘部的所述第2主面侧的表面层；以及，

输出电极，所述输出电极与所述第1导电型低电阻层及所述第2导电型低电阻层相接。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，

所述第2导电型低电阻层的杂质浓度高于所述第1导电型层的杂质浓度。

3.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，

所述第2导电型低电阻层的杂质浓度高于所述第1导电型低电阻层的杂质浓度。

4.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，

还具有设置于所述第1主面侧的多个第2导电型基极区域，

所述第2导电型低电阻层的内侧端部位于所述元件活性部与所述元件边缘部的边界，

所述第2导电型低电阻层的外侧端部位于多个所述第2导电型基极区域中的设置于最外侧的第2导电型基极区域的外侧端部的外侧，且与该外侧端部之间的距离在所述纵型漂移部的厚度以上。

5.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，

从所述元件活性部与所述元件边缘部的边界到所述元件边缘部的外周设置有所述第2导电型低电阻层。

6.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，

所述第2导电型低电阻层设置于所述第1导电型低电阻层的所述第2主面侧的表面层，

所述第1导电型低电阻层介于所述第2导电型低电阻层与所述第1导电型层之间。

7.如权利要求1～6中任一项所述的半导体元件，其特征在于，

所述元件边缘部构成第2并联pn结构，所述第2并联pn结构将沿所述基板的厚度方向取向的第2纵型第1导电型区域与沿所述基板的厚度方向取向的第2纵型第2导电型区域交替重复接合而成。