[发明专利]检验晶片及/或预测形成于晶片上的装置的一或多个特性有效
| 申请号: | 201380047045.8 | 申请日: | 2013-08-01 |
| 公开(公告)号: | CN104620097B | 公开(公告)日: | 2017-08-29 |
| 发明(设计)人: | G·马尔库奇利;A·威德曼;E·张;J·鲁滨逊;A·帕克 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号: | G01N21/956 | 分类号: | G01N21/956;H01L21/027;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人: | 张世俊 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 检验 晶片 预测 形成 装置 特性 | ||
1.一种用于检验晶片的方法,其包括:
获取印刷于晶片上的多个裸片的图像,其中所述多个裸片中的每一者是通过对所述晶片执行双重图案化光刻过程而印刷,且其中所述多个裸片包括以针对所述双重图案化光刻过程的叠对的标称值印刷的两个或两个以上裸片以及以所述叠对的经调制值印刷的一或多个裸片;
将针对以所述标称值印刷的所述多个裸片所获取的所述图像与针对以所述经调制值印刷的所述多个裸片所获取的所述图像进行比较;及
基于所比较的结果来检测以所述经调制值印刷的所述多个裸片中的缺陷,其中所述获取、所述比较及所述检测是使用计算机系统来执行。
2.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:获取印刷于另一晶片上的多个裸片的图像,其中所述另一晶片上的所述多个裸片中的每一者是通过对所述另一晶片执行所述双重图案化光刻过程而印刷,且其中所述另一晶片上的所述多个裸片包括以针对所述双重图案化光刻过程的聚焦及曝光的标称值印刷的两个或两个以上裸片,以及以所述聚焦及曝光的经调制值印刷的一或多个裸片;将针对以所述聚焦及曝光的所述标称值印刷的所述多个裸片所获取的图像与针对以所述聚焦及曝光的所述经调制值印刷的所述多个裸片所获取的图像进行比较;及基于所比较的结果来检测以所述聚焦及曝光的所述经调制值印刷的所述多个裸片中的缺陷。
3.根据权利要求2所述的方法,其进一步包括:将在以所述聚焦及曝光的所述经调制值印刷的所述多个裸片中的实质上相同的裸片内位置处所检测到的所述缺陷进行比较;及基于所述将所述缺陷进行比较的结果以及对应于所述缺陷的所述聚焦及曝光的所述经调制值,确定针对所述多个裸片的设计中最易于由于所述聚焦及曝光的调制而产生缺陷的点。
4.根据权利要求2所述的方法,其进一步包括:将设计数据空间中的接近在以所述聚焦及曝光的所述经调制值印刷的所述多个裸片中所检测到的所述缺陷的位置的设计数据部分进行比较;基于所述将所述部分进行比较的结果来确定所述部分中的所述设计数据是否为至少类似的;将在以所述聚焦及曝光的所述经调制值印刷的所述多个裸片中所检测到的所述缺陷区化成若干群组,使得接近所述群组中的每一者中的所述缺陷的所述位置的所述设计数据的所述部分为至少类似的;及基于所述区化的结果来确定在以所述聚焦及曝光的所述经调制值印刷的所述多个裸片中所检测到的所述缺陷中的哪些缺陷为系统化缺陷。
5.根据权利要求2所述的方法,其进一步包括:基于在以所述聚焦及曝光的所述经调制值印刷的所述多个裸片中所检测到的所述缺陷来识别印刷于所述多个裸片中的经图案化特征中的问题。
6.根据权利要求2所述的方法,其进一步包括:基于在以所述聚焦及曝光的所述经调制值印刷的所述多个裸片中所检测到的所述缺陷来识别针对所述多个裸片的设计中的问题。
7.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括基于所述缺陷来确定所述双重图案化光刻过程的过程窗。
8.根据权利要求1所述的方法,其中所述缺陷包括由所述叠对的值的调制导致的系统化缺陷。
9.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:将设计数据空间中的接近所述缺陷的位置的设计数据部分进行比较;基于所述将所述部分进行比较的结果来确定所述部分中的所述设计数据是否为至少类似的;将所述缺陷区化成若干群组,使得接近所述群组中的每一者中的所述缺陷的所述位置的所述设计数据的所述部分为至少类似的;及基于所述区化的结果来确定所述缺陷中的哪些缺陷为系统化缺陷。
10.根据权利要求9所述的方法,其进一步包括产生图解说明区化到所述群组中的两者或两者以上中的缺陷的数目的帕累托图。
11.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:将在以所述叠对的所述经调制值印刷的所述多个裸片中的实质上相同的裸片内位置处所检测到的所述缺陷进行比较;及基于所述将所述缺陷进行比较的结果以及对应于所述缺陷的所述叠对的所述经调制值,确定针对所述多个裸片的设计中最易于由于所述叠对的调制而产生缺陷的点。
12.根据权利要求11所述的方法,其进一步包括:确定所述叠对的所述调制对所述设计中最易于产生所述缺陷的所述点的影响。
13.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:基于所述缺陷来确定在所述双重图案化光刻过程中所使用的一或多个光罩的一或多个特性。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于科磊股份有限公司,未经科磊股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380047045.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





