[发明专利]检验晶片及/或预测形成于晶片上的装置的一或多个特性有效

专利信息
申请号: 201380047045.8 申请日: 2013-08-01
公开(公告)号: CN104620097B 公开(公告)日: 2017-08-29
发明(设计)人: G·马尔库奇利;A·威德曼;E·张;J·鲁滨逊;A·帕克 申请(专利权)人: 科磊股份有限公司
主分类号: G01N21/956 分类号: G01N21/956;H01L21/027;H01L21/66
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 代理人: 张世俊
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 检验 晶片 预测 形成 装置 特性
【说明书】:

技术领域

发明一般来说涉及用于检验晶片及/或预测形成于晶片上的装置的一或多个特性的方法。

背景技术

以下描述及实例并不由于其包含于此章节中而被承认为是现有技术。

制作例如集成电路的半导体装置涉及在晶片上形成多个层。在所述晶片的不同层上形成不同结构,且不同层上的一些结构打算彼此电连接,而不同层上的其它结构打算彼此绝缘。如果一个层上的结构并未与其它层的其它结构恰当地对准,那么所述结构的未对准可阻止一些结构的恰当电连接及/或其它结构的恰当绝缘。因此,在可行的半导体装置的成功制造中,测量及控制品片上的多个层的对准是重要的。

一般来说,晶片上的一个层与另一层的对准通过在对所述晶片执行的光刻过程的曝光步骤中的晶片的对准来确定。特定来说,由于光刻过程涉及在抗蚀剂材料中形成经图案化特征、接着使用其它制作过程将所述经图案化特征转印到装置材料,因此所述光刻过程通常控制将所述经图案化特征(及因此由所述经图案化特征形成的装置结构)形成于晶片上的何处。因此,在制作过程中,在光刻过程之前、在其期间及/或在其之后测量及控制品片的对准及因此一个层上的特征相对于另一层上的特征的叠对是关键步骤。

光刻过程的除叠对以外的参数也影响形成于晶片上的所得经图案化特征。举例来说,在光刻过程中所使用的曝光工具的聚焦及剂量可影响经图案化特征的各种特性,例如临界尺寸、侧壁角度及高度。如果经图案化特征并未形成于此些特性的规范内,那么由所述经图案化特征形成的装置结构可能不会彼此恰当地绝缘或彼此恰当地连接。另外,此些特性还可影响形成于晶片上的装置的电特性。因此,监视及控制光刻过程的多个参数以确保制作可行的装置且还确保制作具有适合功能性的装置是重要的。

因此,开发可用于通过在制作装置之前消除设计问题且监视及控制光刻过程来改进制作于晶片上的装置的系统及/或方法将是有利的。

发明内容

各种实施例的以下描述不应以任何方式视为限制所附权利要求书的标的物。

一个实施例涉及一种用于检验晶片的方法。所述方法包含:获取印刷于晶片上的多个裸片的图像。所述多个裸片中的每一者是通过对所述晶片执行双重图案化光刻过程而印刷。所述多个裸片包含以针对所述双重图案化光刻过程的叠对的标称值印刷的两个或两个以上裸片以及以所述叠对的经调制值印刷的一或多个裸片。所述方法还包含:将针对以所述标称值印刷的所述多个裸片所获取的所述图像与针对以所述经调制值印刷的所述多个裸片所获取的所述图像进行比较。另外,所述方法包含:基于所述比较步骤的结果来检测以所述经调制值印刷的所述多个裸片中的缺陷。

另一实施例涉及一种用于预测形成于晶片上的装置的一或多个特性的方法。所述方法包含:对使用光刻过程形成于晶片上的一或多个裸片执行度量衡。所述方法还包含:基于所述度量衡的结果来确定所述光刻过程在所述一或多个裸片中的叠对误差、聚焦误差、剂量误差或其某一组合。另外,所述方法包含:通过将所述叠对误差、聚焦误差、剂量误差或其某一组合应用于针对所述一或多个裸片的设计数据来模拟由所述一或多个裸片形成的装置的一或多个特性,例如外形。

可如本文中进一步所描述来执行上文所描述的方法实施例的步骤中的每一者。上文所描述的方法可包含本文中所描述的任何其它方法的任何其它步骤,且可使用本文中所描述的系统中的任一者来执行。

附图说明

在阅读以下详细描述并参考所附图式时,将明了本发明的其它目标及优点,在图式中:

图1是图解说明印刷于晶片上的多个裸片的一个实施例的示意图,所述晶片包含以双重图案化光刻过程的参数的标称值印刷的两个或两个以上裸片以及以所述参数的经调制值印刷的一或多个裸片;

图2是图解说明经配置以用于检验晶片的系统的一个实施例的侧视图的示意图;

图3是图解说明存储程序指令的非暂时性计算机可读媒体的一个实施例的框图,所述程序指令可执行于计算机系统上以用于执行本文中所描述的一或多种方法;且

图4是图解说明经配置以用于预测形成于晶片上的装置的一或多个特性的系统的一个实施例的侧视图的示意图。

尽管易于对本发明做出各种修改及替代形式,但其特定实施例以实例方式展示于图式中且将在本文中进行详细描述。然而,应理解,图式及对图式的详细描述并不打算将本发明限制于所揭示的特定形式,而是相反,本发明打算涵盖归属于如所附权利要求书所界定的本发明的精神及范围内的所有修改形式、等效形式及替代形式。

具体实施方式

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