[发明专利]针对非易失性存储器的写入数据保存无效

专利信息
申请号: 201380046359.6 申请日: 2013-06-07
公开(公告)号: CN104704567A 公开(公告)日: 2015-06-10
发明(设计)人: 堺学;三轮达;郭天健 申请(专利权)人: 桑迪士克技术有限公司
主分类号: G11C11/56 分类号: G11C11/56
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 康建峰;陈炜
地址: 美国德*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 针对 非易失性存储器 写入 数据 保存
【权利要求书】:

1.一种用于操作非易失性存储器的方法,包括:

将多个第一位存入对应的多个第一锁存器(1102);

将多个第二位存入对应的多个第二锁存器(1102);

将所述多个第一位和所述多个第二位编程到多个非易失性存储元件中,所述非易失性存储元件中的每个非易失性存储元件要用所述多个第一位中的一个第一位和所述多个第二位中的一个第二位来编程(1106);

在对所述非易失性存储元件编程时,将所述多个第二锁存器和多个第三锁存器用于验证状态(1108);

在将所述多个第二锁存器和所述多个第三锁存器用于验证状态的情况下,将所述多个第二位保存在所述多个第二锁存器与所述多个第三锁存器的组合中(1110);以及

响应于所述编程期间的编程差错来恢复所述多个第二位,所述恢复基于至少所述多个第二锁存器中的数据(1112)。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,将所述多个第二位保存在所述多个第二锁存器与所述多个第三锁存器的组合中包括:

在所述编程期间转换所述多个第二锁存器和所述多个第三锁存器中的数据,以将所述多个第二位保存在所述多个第二锁存器与所述多个第三锁存器的组合中。

3.根据权利要求1或2所述的方法,其中,响应于编程差错来恢复所述多个第二位包括:

对所述多个第二锁存器和所述多个第三锁存器中的数据进行逻辑操作。

4.根据权利要求1至3所述的方法,还包括:

在检测所述编程差错之前通过对所述多个第三锁存器中的数据进行逻辑操作来将所述多个第二位再存储到所述多个第二锁存器。

5.根据权利要求4所述的方法,其中,响应于编程差错来恢复所述多个第二位包括:

从所述多个第二锁存器读取数据。

6.根据权利要求1所述的方法,其中,响应于所述编程期间的编程差错来恢复所述多个第二位包括:

基于在将所述多个第二位保存在所述多个第二锁存器与所述多个第三锁存器的组合中时是否出现编程差错,确定是基于对所述多个第二锁存器和所述多个第三锁存器中的数据进行的逻辑操作来恢复所述多个第二位,还是通过直接从所述多个第二锁存器读取数据来恢复所述多个第二位。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法,还包括:

释放所述多个第一锁存器,在将所述多个第二位保存在所述多个第二锁存器与所述多个第三锁存器的组合中时,所述第一锁存器空闲。

8.根据权利要求1所述的方法,其中,所述多个第一位是下页数据,所述多个第二位是上页数据。

9.一种非易失性存储设备,包括:

多个非易失性存储元件(100,102,104,106);

多个锁存器组(394,395,396,397),每个所述锁存器组与所述非易失性存储元件中的一个非易失性存储元件相关联,与每个非易失性存储元件相关联的锁存器组包括第一锁存器(DL1)、第二锁存器(DL2)以及第三锁存器(DL3);

一个或更多个管理电路(220,230,242,240,244),与所述多个非易失性存储元件和所述多个锁存器组连通,所述一个或更多个管理电路将多个第一位存入所述第一锁存器中相应的第一锁存器,所述一个或更多个管理电路将多个第二位存入所述第二锁存器中相应的第二锁存器,所述一个或更多个管理电路将所述多个第一位和所述多个第二位编程到所述多个非易失性存储元件中,所述非易失性存储元件中的每个非易失性存储元件要用所述多个第一位中的一个第一位和所述多个第二位中的一个第二位来编程,所述一个或更多个管理电路在对所述非易失性存储元件编程时将验证状态存储在所述多个第二锁存器和多个所述第三锁存器中,所述一个或更多个管理电路在将所述多个第二锁存器和所述多个第三锁存器用于验证状态的情况下,将所述多个第二位保存在所述多个第二锁存器与所述多个第三锁存器的组合中,所述一个或更多个管理电路基于至少所述多个第二锁存器中的数据,响应于所述编程期间的编程差错来恢复所述多个第二位。

10.根据权利要求9所述的非易失性存储设备,其中,所述一个或更多个管理电路在编程期间转换所述多个第二锁存器和所述多个第三锁存器中的数据,以将所述多个第二位保存在所述多个第二锁存器与所述多个第三锁存器的组合中。

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