[发明专利]光纤有效
申请号: | 201380046230.5 | 申请日: | 2013-09-02 |
公开(公告)号: | CN104603652B | 公开(公告)日: | 2018-02-13 |
发明(设计)人: | 平野正晃;春名彻也;田村欣章;山本义典 | 申请(专利权)人: | 住友电气工业株式会社 |
主分类号: | G02B6/02 | 分类号: | G02B6/02;G02B6/036 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 顾红霞,何胜勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光纤 | ||
技术领域
本发明涉及一种光纤。
背景技术
对于采用数字相干接收技术的通信系统而言,重要的是要提高光通信系统的光信噪比(OSNR)。通过提高OSNR,可以在例如以下几个方面提高光通信系统的性能:可以增加传输系统的容量;可以增大传输系统的传输距离;以及可以增大中继器之间的跨长。为了提高OSNR,重要的是降低光纤的非线性并减少传输线路中的损耗。通过增大有效面积Aeff且通过增大色散的绝对值,可以降低光纤的非线性。WO00/062106和JP2005-202440A均描述了一种色散的绝对值大且有效面积Aeff大的非色散位移光纤。
在现有的传输线路和传输装置中,使用以下光纤:标准单模光纤(SSMF),其在1.55μm的波段中具有约80μm2的有效面积Aeff,并且符合ITU-T G.652规格;以及色散位移光纤(DSF)和非零色散位移光纤(NZ-DSF),其具有在50μm2至80μm2的范围内的有效面积Aeff,并且分别符合ITU-T G.653和ITU-T G.655规格。JP2011-197667A描述了这样的情况:当这些光纤中的一个光纤被熔接到具有大有效面积Aeff的非色散位移光纤时,熔接损耗可能变高,结果,OSNR可能降低。
另外,当光纤被密集封装的陆地长距离通信光缆或海底无中继器通信光缆由具有大有效面积Aeff的非色散位移光纤制成时,可能由于宏弯损耗或微弯损耗的存在而使光纤的衰减增大,结果,传输系统的OSNR可能降低。
如在WO00/036443中所述的那样,存在一种使用具有相对较小有效面积Aeff和相对较大色散的正色散光纤来补偿负色散光纤的色散的公知技术。能够减少由弯曲引起的损耗的正色散光纤还可以用作色散补偿组件。然而,该光纤不适合实际的长距离传输,因为该光纤具有0.17dB/km以上的衰减。
US2010/0195966的说明书描述了一种通过在芯部中掺入碱金属来减少衰减的光纤。然而,该说明书所述的具有小有效面积Aeff的光纤(实例8、13、14和15)不适合实际的长距离传输,因为各光纤的衰减为0.17dB/km以上。因此,迄今为止,尚未研究出适合于高密度地封装在光缆中且适合于使用数字相干系统进行长距离传输的光纤。
发明内容
技术问题
本发明目的在于提供一种适用于高密度铺设和长距离传输的光纤。
解决技术问题的方案
根据本发明的光纤包括芯部和包层。在1550nm的波长的情况下,有效面积Aeff为100μm2以下,并且色散Disp为19.0ps/nm/km以上且22ps/nm/km以下,用表达式FOM=5log{|Disp|·Leff}-10log{Leff/Aeff}-100α表示的品质因数FOM为3.2dB以上,在该表达式中,所述光纤的有效长度用Leff[km]表示并且所述光纤的衰减用α[dB/km]表示。
在根据本发明的光纤中,在1550nm的波长的情况下的衰减α可以为0.164dB/km以下。在1550nm的波长的情况下的有效面积Aeff可以为76μm2以上或可以为62μm2以上。在2m长的光纤上测得的光纤截止波长可以为1.30μm以上且1.60μm以下。在1550nm的波长的情况下的色散斜率S可以为0.05ps/nm2/km以上且0.07ps/nm2/km以下。在1550nm的波长的情况下,熔接到具有80μm2的有效面积的单模光纤时的熔接损耗可以为0.05dB/面以下。
在根据本发明的光纤中,所述芯部相对于纯石英玻璃的折射率而言的相对折射率差可以为-0.1%以上且0.1%以下。所述芯部可以由掺杂有平均浓度为1000原子ppm以上的氯的石英系玻璃制成。所述芯部可以掺杂有平均浓度为0.01原子ppm以上且50原子ppm以下的碱金属。所述芯部中的过渡金属和除碱金属之外的主族金属的浓度可以为1ppm以下。
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