[发明专利]光纤有效

专利信息
申请号: 201380046230.5 申请日: 2013-09-02
公开(公告)号: CN104603652B 公开(公告)日: 2018-02-13
发明(设计)人: 平野正晃;春名彻也;田村欣章;山本义典 申请(专利权)人: 住友电气工业株式会社
主分类号: G02B6/02 分类号: G02B6/02;G02B6/036
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 代理人: 顾红霞,何胜勇
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 光纤
【权利要求书】:

1.一种光纤,其包括芯部和包层,

其中,在1550nm的波长的情况下,有效面积Aeff为100μm2以下,并且色散Disp为19.0ps/nm/km以上且22ps/nm/km以下,用表达式FOM=5log{|Disp|·Leff}-10log{Leff/Aeff}-100α表示的品质因数FOM为3.2dB以上,在该表达式中,所述光纤的有效长度用Leff[km]表示并且所述光纤的衰减用α[dB/km]表示。

2.根据权利要求1所述的光纤,

其中,在1550nm的波长的情况下的衰减α为0.164dB/km以下。

3.根据权利要求1或2所述的光纤,

其中,在1550nm的波长的情况下的有效面积Aeff为76μm2以上。

4.根据权利要求1或2所述的光纤,

其中,在1550nm的波长的情况下的有效面积Aeff为62μm2以上。

5.根据权利要求1或2所述的光纤,

其中,在2m长的光纤上测得的光纤截止波长为1.30μm以上且1.60μm以下。

6.根据权利要求1或2所述的光纤,

其中,在1550nm的波长的情况下的色散斜率S为0.05ps/nm2/km以上且0.07ps/nm2/km以下。

7.根据权利要求1或2所述的光纤,

其中,熔接到在1550nm的波长的情况下具有80μm2的有效面积的单模光纤时的熔接损耗为0.05dB/面以下。

8.根据权利要求1所述的光纤,

其中,所述芯部相对于纯石英玻璃的折射率而言的相对折射率差为-0.1%以上且0.1%以下。

9.根据权利要求8所述的光纤,

其中,所述芯部由掺杂有平均浓度为1000原子ppm以上的氯的石英系玻璃制成。

10.根据权利要求8或9所述的光纤,

其中,所述芯部掺杂有平均浓度为0.01原子ppm以上且50原子ppm以下的碱金属。

11.根据权利要求8或9所述的光纤,

其中,所述芯部中的过渡金属和除碱金属之外的主族金属的浓度为1ppm以下。

12.根据权利要求1所述的光纤,

其中,所述芯部的直径2rc为9.0μm以上且11.6μm以下,并且

在与所述光纤的中心轴线相距rc以上且4.5rc以下的距离范围内,所述芯部的最大折射率Nc相对于所述包层的最小折射率Nd2而言的相对折射率差Δc=(Nc-Nd2)/Nd2为0.34%以上且0.62%以下。

13.根据权利要求12所述的光纤,

其中,所述芯部包括第一芯部和第二芯部,所述第一芯部具有最小折射率Ni、最大折射率Ni2和外半径ri,所述第二芯部具有最大折射率Nc和外半径rc,Nc≥Ni2,rc≥ri,并且2rc为9.0μm以上且11.0μm以下,并且

在与所述中心轴线相距rc以上且4.5rc以下的距离范围内,所述第二芯部的最大折射率Nc相对于所述包层的最小折射率Nd2而言的相对折射率差Δc=(Nc-Nd2)/Nd2为0.40%以上且0.62%以下。

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