[发明专利]反射沉积环和包括反射沉积环的基板处理室

说明书

领域

本发明的实施方式一般涉及半导体处理设备与技术。

背景

半导体基板在材料处理之后通常会受到热处理，材料处理例如是沉积材料于基板上，该基板包括特征形成于其表面中。横越半导体基板的温度均匀性在热处理期间是相当关键的，以在沉积阶段期间有效地将回流(reflow)材料沉积于基板上，并且在基板上与所述特征内提供材料的更一致分布。某些回流腔室使用反射表面来将辐射导引朝向半导体基板的背侧。但是，回流腔室内的空间限制实质上限制了反射表面的面积，负面地影响了半导体基板的温度均匀性。

因此，发明人已经提供用于处理基板的设备，该设备在至少某些实施方式中，改良了横越基板的温度均匀性。

概述

本文提供用于改良横越基板的温度均匀性的设备。在某些实施方式中，一种沉积环，用于使用在基板处理系统中来处理基板，所述沉积环可包括：环状主体，该环状主体具有第一表面、相对第二表面、和中央开口，该中央开口通过所述第一表面与第二表面，其中该第二表面是配置成设置于基板支座之上，该基板支座具有支撑表面以支撑具有给定宽度的基板，且其中该开口的尺寸经过设计，以暴露该支撑表面的主要部分；并且其中该第一表面包括至少一个反射部，该至少一个反射部是配置来将热能反射朝向该环状主体的中心轴，其中该至少一个反射部具有表面积是该第一表面的总表面积的大约百分之五至大约百分之五十。

在某些实施方式中，一种沉积环，用于使用在基板处理系统中来处理基板，所述沉积环可包括：环状主体，该环状主体具有第一表面、相对第二表面、和中央开口，该中央开口通过所述第一表面与第二表面，其中该第二表面是配置成设置于基板支座之上，该基板支座具有支撑表面以支撑具有给定宽度的基板，且其中该开口的尺寸经过设计，以暴露该支撑表面的主要部分；以及其中该第一表面包括至少一个反射部，该至少一个反射部是配置来将热能反射朝向该环状主体的中心轴，其中该至少一个反射部具有表面积是该第一表面的总表面积的至少百分之五。

在某些实施方式中，一种基板处理室可包括：基板支座，该基板支座具有支撑表面以支撑具有给定宽度的基板；辐射能量源，该辐射能量源位于该基板处理室的周边区域处；反射体，该反射体设置于该辐射能量源的周围；和沉积环。该沉积环可包括：环状主体，该环状主体具有第一表面、相对第二表面、和中央开口，该中央开口通过所述第一表面与第二表面，其中该第二表面是配置成设置于该基板支座之上，且其中该开口的尺寸经过设计，以暴露该支撑表面的主要部分；和至少一个反射部，该至少一个反射部设置于该第一表面上，且该至少一个反射部是配置来将热能反射朝向该环状主体的中心轴，其中该至少一个反射部是该第一表面的总表面积的大约百分之五至大约百分之五十。

其他实施方式与变化更详细地讨论于下。

附图简要说明

通过参照所附附图中绘示的本发明的例示实施方式，可了解在下面更详细讨论且简短总结于上的本发明的实施方式。但是，注意到，所附附图只例示本发明的一般实施方式且因此不视为限制其范围，因为本发明可容许其他同等有效的实施方式。

图1是根据本发明的某些实施方式的腔室的示意横截面视图。

图2绘示了根据本发明的某些实施方式的沉积环的示意视图。

图2A绘示了根据本发明的某些实施方式的沉积环的横截面侧视图。

图3A-图3C分别绘示了根据本发明的某些实施方式的沉积环的横截面侧视图。

图4是根据本发明的某些实施方式的示例沉积环的顶视图。

为了促进了解，已经在任何可能的地方使用相同的标号来表示附图中共同的相同元件。附图未依照尺寸绘制，且可以为了清楚加以简化。可了解到，一个实施方式的元件与特征可有利地并入在其他实施方式中，而不用另外详述。

具体描述