[发明专利]反射沉积环和包括反射沉积环的基板处理室

权利要求书

1.一种沉积环，用于使用在基板处理系统中，以处理基板，所述沉积环包括：

环状主体，所述环状主体具有第一表面、相对第二表面、和中央开口，所述中央开口通过所述第一表面与第二表面，其中所述第二表面是配置成设置于基板支座之上，所述基板支座具有支撑表面以支撑具有给定宽度的基板，且其中所述开口的尺寸经过设计，以暴露所述支撑表面的主要部分；

其中所述第一表面包括：

至少一个反射部，所述至少一个反射部是配置来将热能反射朝向所述环状主体的中心轴，其中所述至少一个反射部具有表面积是所述第一表面的总表面积的至少大约百分之五；

倾斜表面，所述倾斜表面设置于所述至少一个反射部的径向向内处；和

平坦部，所述平坦部设置于所述沉积环的外部周边附近，所述平坦部具有设置于所述反射部的径向最外部之下的上表面。

2.如权利要求1所述的沉积环，其中所述至少一个反射部具有表面积是所述第一表面的总表面积的至少大约百分之五至大约百分之五十。

3.如权利要求1所述的沉积环，其中所述至少一个反射部涂覆有反射材料。

4.如权利要求1所述的沉积环，其中所述环状主体进一步包括：

凹槽，所述凹槽设置于所述第一表面中，且所述凹槽是配置来在基板处理期间接收所沉积材料的增长。

5.如权利要求1所述的沉积环，其中所述倾斜表面设置在所述沉积环的内部周边附近，其中所述倾斜表面是配置来在所述基板存在时，将所述基板定位于所述中央开口之上。

6.如权利要求1-5的任一项所述的沉积环，其中所述第一表面具有粗糙度是大约80微英寸至大约100微英寸RMS。

7.如权利要求1-5的任一项所述的沉积环，其中所述沉积环具有直径是大约12英寸至大约15英寸。

8.如权利要求1-5的任一项所述的沉积环，其中所述至少一个反射部的倾斜度是大约0度至大约30度。

9.如权利要求1-5的任一项所述的沉积环，其中所述环状主体包括多个反射部，所述多个反射部的每一反射部具有角度来在所述基板存在时，将热能反射朝向所述基板。

10.如权利要求1-5的任一项所述的沉积环，其中所述环状主体进一步包括第一阶部，所述第一阶部将所述第二表面连接至所述环状主体的内部直径。

11.如权利要求1-5的任一项所述的沉积环，其中所述至少一个反射部是所述第一表面的主要部分。

12.如权利要求1-3的任一项所述的沉积环，进一步包括：

凹槽，所述凹槽设置于所述第一表面中，且所述凹槽是配置来在基板处理期间接收所沉积材料的增长；并且

其中所述倾斜表面径向向外于所述凹槽且在所述凹槽附近，并且所述倾斜表面是配置来在所述基板存在时，将所述基板定位于所述中央开口之上。

13.一种基板处理室，包括：

基板支座，所述基板支座具有支撑表面以支撑具有给定宽度的基板；

辐射能量源，所述辐射能量源位于所述基板处理室的周边区域处；

反射体，所述反射体设置于所述辐射能量源的周围；和

沉积环，所述沉积环设置围绕所述基板支座的支撑表面，所述沉积环是如权利要求1-5的任一项所述的沉积环。

14.如权利要求13所述的基板处理室，其中所述沉积环的所述第一表面是所述反射体的延伸。