[发明专利]半导体发光器件及其制造方法

说明书

技术领域

本公开总体涉及半导体发光器件或元件及其制造方法。更具体地说，本公开涉及具有位于支撑基板上的电传递通道的半导体发光器件及其制造方法。

在这里的背景下，术语“半导体发光器件”旨在指一种经由电子-空穴复合而产生光的半导体发光器件，并且其典型示例是III族氮化物半导体发光器件。III族氮化物半导体由Al(x)Ca(y)In(l-x-y)N(0＝x＝1,0＝y＝1,0＝x+y＝1)组成。其另一个示例是用于发红光的基于GaAs的半导体发光器件。

背景技术

该部分提供与不必是现有技术的本公开有关的背景信息。

图1是例示现有技术中的半导体发光器件(横向芯片)的一个示例的图，其中，半导体发光器件包括基板100，并且缓冲层200、具有第一导电性的第一半导体层300、用于通过电子空穴复合产生光的有源层400、和具有与第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层500，缓冲层200、第一半导体层300、有源层400和第二半导体层500按照上述顺序沉积在基板100上，以及另外，用于电流散布的光透射导电膜600并且在光透射导电膜600上形成有充当焊盘的电极700，并且在第一半导体层300的蚀刻露出部上有形成充当焊盘的电极800。

图2是例示现有技术中的半导体发光器件(倒装芯片)的另一个示例的图，其中，半导体发光器件包括基板100，并且具有第一导电性的第一半导体层300、用于通过电子空穴复合产生光的有源层400、和具有与第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层500，第一半导体层300、有源层400和第二半导体层500按照上述顺序沉积在基板100上，以及另外，在第二半导体层500上形成有用于朝向基板100反射光的三层电极膜，即，电极膜901、电极膜902和电极膜903，并且在第一半导体层300的蚀刻露出部上形成有充当焊盘的电极800。

图3是例示现有技术中的半导体发光器件(垂直芯片)的又一个示例的图，其中，半导体发光器件包括具有第一导电性的第一半导体层300、用于通过电子空穴复合产生光的有源层400、和第二半导体层500(该第二半导体层500具有与第一导电性不同的第二导电性，第一半导体层300、有源层400和第二半导体层500按照上述顺序沉积)，并且另外，在第二半导体层500上形成有用于朝向第一半导体层300反射光的金属反射膜910，并且在支撑基板930侧上形成有电极940。金属反射膜910和支撑基板930经由晶片结合层920接合到一起。在第一半导体层300上形成有充当焊盘的电极800。

图4和图5例示现有技术中的半导体发光器件的进一步的示例。如图4所例示，图2所示的半导体发光器件(倒装芯片)安装在布线板(1000)上，然后，如图5所示去除基板100，从而获得半导体发光器件(垂直芯片；其这样命名，以指示已经去除了基板100)。具体地，该半导体发光器件可以通过对电极膜901、902和903和电极图案1010进行对准，随后对电极800与电极图案1020进行对准而获得。然后，该半导体发光器件使用凸块、糊状物或易熔金属950和960安装在布线板1000上，并且借助激光来去除基板100。

然而，因为上述处理需要以在芯片级别执行，所以处理变长且变得复杂，并且电极膜901、902和903、电极800和电极图案1010和1020的对准也带来困难。除此之外，与以芯片级别进行磷光剂涂布关联的成本增加造成另一问题。

因此，虽然芯片级别的TFFC(薄膜倒装芯片)技术的商业化代表半导体发光器件的高水平制造技术，但是另一方面，其也公开地表明尚未容易地进行这种技术以晶片级别的应用。为了以晶片级别应用该概念，已经提出许多建议。然而，未提出这样半导体发光器件及其制造方法：其可以大致克服电极膜901、902和903、电极800与电极图案1010和1020的对准困难，以及在晶片级别结合操作之后，在去除基板100期间和后续处理中的半导体层200、300和400中出现的破裂。

发明内容

技术问题

本公开所解决的问题将在之后具体实施方式部分中描述。

技术方案

该部分提供本公开的总体总结并且不是其全部范围或所有其特征的综合公开。

有益效果

本公开的有益效果将在后面具体实施方式部分中描述。