[发明专利]半导体发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体发光器件的方法，该方法包括以下步骤：

制备多个半导体层，该多个半导体层顺序生长在生长基板上，所述多个半导体层包括：第一半导体层，该第一半导体层具有第一导电性和形成在其一侧上的生长基板去除面；第二半导体层，该第二半导体层具有与所述第一导电性不同的第二导电性；以及有源层，该有源层插入在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，经由电子空穴复合产生光；

制备支撑基板，该支撑基板具有第一面和与所述第一面相反的第二面，其中，第一电传递通道和第二电传递通道通过对所述支撑基板进行穿孔并且将导电材料插入到所述第一电传递通道和所述第二电传递通道的每一个中来设置，经由该第一电传递通道电子或空穴被转移到所述多个半导体层，未经由所述第一电传递通道转移的任何电子或空穴经由该第二电传递通道被转移到所述多个半导体层；

将所述生长基板的相反侧上的所述多个半导体层与所述支撑基板的第一面侧结合，使得结合层形成在结合区域上，并且所述第一电传递通道经由所述结合层连接到所述多个半导体层；

去除所述基板；

去除所述结合层，以使所述第二电传递通道露出；以及

通过电连接件将所述第二电传递通道与所述多个半导体层电连接，使得未经由所述第一电传递通道转移的任何电子或空穴转移到所述多个半导体层，

其中，所述多个半导体层具有电连接到所述第一半导体层和第二半导体层中的一方的导电层，并且所述方法还包括以下步骤：在电连接步骤之前，去除所述多个半导体层以使所述导电层露出，并且

其中，所述电连接件经由所述导电层与所述多个半导体层电连接。

2.根据权利要求1所述的制造半导体发光器件的方法，其中，所述结合层去除步骤包括去除所述多个半导体层。

3.根据权利要求1所述的制造半导体发光器件的方法，其中，去除所述结合层的步骤包括：隔离所述多个半导体层以制造单个芯片；以及去除所述结合层，以使所述第二电传递通道露出。

4.根据权利要求1所述的制造半导体发光器件的方法，其中，所述导电层电连接到所述第二半导体层。

5.根据权利要求1所述的制造半导体发光器件的方法，其中，所述导电层电连接到所述第一半导体层。

6.根据权利要求1所述的制造半导体发光器件的方法，其中，在电连接步骤中，所述第二电传递通道持续到被去除了所述生长基板的所述多个半导体层。

7.根据权利要求1所述的制造半导体发光器件的方法，其中，在结合步骤之前，去除所述多个半导体层的一部分。

8.根据权利要求1所述的制造半导体发光器件的方法，其中，所述第一半导体层、所述有源层和所述第二半导体层是III族氮化物半导体发光器件。

9.根据权利要求1所述的制造半导体发光器件的方法，其中，在结合步骤中，将所述第一电传递通道和所述第二电传递通道这两者结合到所述结合层。

10.根据权利要求1所述的制造半导体发光器件的方法，其中，在结合步骤中，所述结合层形成在所述支撑基板的整个所述第一面上。