[发明专利]粘合膜以及使用该粘合膜的有机电子装置的封装方法

权利要求书

1.一种用于封装有机电子元件的粘合膜，包括：

在60至100℃的损耗系数tanδ为1至5的第一粘合层；和

形成于该第一粘合层的一个表面上的第二粘合层。

2.根据权利要求1所述的粘合膜，其中，所述第一粘合层的粘度低于所述第二粘合层。

3.根据权利要求1所述的粘合膜，其中，该粘合膜包含可固化树脂和吸湿剂，基于在所述第一和第二粘合层中的吸湿剂的总重量，在第一粘合层中包含0至20％的所述吸湿剂，在第二粘合层中包含80至100％的所述吸湿剂。

4.根据权利要求1所述的粘合膜，其中，所述第一粘合层是与有机电子元件接触的层，而所述第二粘合层是不与该有机电子元件接触的层。

5.根据权利要求2所述的粘合膜，其中，所述第一或第二粘合层在60至100℃下的粘度为3,000至300,000泊。

6.根据权利要求5所述的粘合膜，其中，所述第一或第二粘合层在60至100℃下的粘度为5,000至300,000泊。

7.根据权利要求3所述的粘合膜，其中，所述可固化树脂在固化状态下的水蒸气透过率(WVTR)为50g/m²·天以下。

8.根据权利要求3所述的粘合膜，其中，所述可固化树脂为热固化树脂、光固化树脂或双重可固化树脂。

9.根据权利要求3所述的粘合膜，其中，所述吸湿剂为氧化铝、金属氧化物、金属盐或五氧化二磷。

10.根据权利要求9所述的粘合膜，其中，所述吸湿剂为选自P₂O₅、Li₂O、Na₂O、BaO、CaO、MgO、Li₂SO₄、Na₂SO₄、CaSO₄、MgSO₄、CoSO₄、Ga₂(SO₄)₃、Ti(SO₄)₂、NiSO₄、CaCl₂、MgCl₂、SrCl₂、YCl₃、CuCl₂、CsF、TaF₅、NbF₅、LiBr、CaBr₂、CeBr₃、SeBr₄、VBr₃、MgBr₂、BaI₂、MgI₂、Ba(ClO₄)₂和Mg(ClO₄)₂的至少一种。

11.根据权利要求3所述的粘合膜，其中，相对于100重量份的可固化树脂，所述第二粘合层包含1至100重量份的吸湿剂。

12.根据权利要求3所述的粘合膜，其中，相对于100重量份的可固化树脂，所述第一粘合层包含0至20重量份的吸湿剂。

13.根据权利要求3所述的粘合膜，其中，所述第一或第二粘合层还包含填充剂。

14.根据权利要求13所述的粘合膜，其中，所述填充剂为选自粘土、滑石、二氧化硅、沸石、氧化锆、二氧化钛和蒙脱石的至少一种。

15.根据权利要求3所述的粘合膜，其中，所述第一或第二粘合层还包含固化剂。

16.根据权利要求3所述的粘合膜，其中，所述第一或第二粘合层还包含高分子量树脂。

17.一种封装有机电子装置的方法，包括：

将权利要求1所述的粘合膜的第一粘合层层合在具有有机电子装置的基底上而与有机电子元件接触；以及

固化所述粘合膜。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，层合所述第一粘合层以覆盖所述有机电子元件的整个表面。