[发明专利]射频(RF)传导媒介有效
申请号: | 201380035597.7 | 申请日: | 2013-04-29 |
公开(公告)号: | CN104685705B | 公开(公告)日: | 2017-06-13 |
发明(设计)人: | J·A·杜利 | 申请(专利权)人: | 纳米通股份有限公司 |
主分类号: | H01P7/06 | 分类号: | H01P7/06;H01P7/04;H01B1/14;H01B1/24 |
代理公司: | 北京坤瑞律师事务所11494 | 代理人: | 封新琴 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 射频 rf 传导 媒介 | ||
相关申请
本申请要求2012年5月1日提交的美国临时申请No.61/640,784和2013年3月14日提交的美国临时申请No.61/782,629两者的权益。上述申请的完整教导通过引用的方式合并到此。
背景技术
电磁波或电磁辐射(EMR)是具有电和磁场分量的能量的形式。电磁波可以具有很多不同的频率。
现代电信系统操控电磁谱中的电磁波,以将无线通信提供给电信系统的订户。具体地,现代电信系统操控具有将它们分类为射频(RF)波的频率的那些波。为了利用RF波,电信系统利用特定必要硬件组件,例如滤波器、混频器、放大器和天线。
发明内容
在此描述的技术涉及用于改进RF设备的传导效率的射频(RF)传导媒介。所述RF传导媒介通过包括横向电磁轴中的没有引起感兴趣射频处的趋肤效应的影响的损耗的一条或多条传导路径来改进RF设备的传导效率。
一个实施例是射频(RF)传导媒介,其包括多样传导媒介,其在横向电磁轴中形成多条连续传导路径。所述RF传导媒介还包括悬垂电介质,其在所述横向电磁轴中周期性地环绕所述多条连续传导路径中的每一条。所述悬垂电介质被配置为隔离所述多条传导路径中的每一条以防在垂直于所述横向电磁轴的轴中传送RF能量。所述悬垂电介质进一步配置为:为所述多条连续传导路径中的每一条提供机械支撑。
在实施例中,所述多条连续传导路径中的每一条可以是传导路径的多个传导层中的一个传导层。所述多个传导层中的每一个可以相对于所述多个传导层中的其它层被构造并且具有均匀位置或布置。在另一实施例中,所述多个传导层中的每一个可以相对于所述多个传导层中的其它层未结构化并且具有网格布置。
在一些实施例中,所述横向电磁轴是与施加RF传导媒介的表面平行的轴。在其它实施例中,所述横向电磁轴是与施加RF传导媒介的表面共面的轴。
所述RF传导媒介可以还包括溶剂,其配置为:在所述RF传导媒介施加到电介质表面上期间将所述RF传导媒介保持在黏性状态下。所述溶剂配置为响应于受到热源激励而蒸发。
可以通过以作为银、铜、铝和金中的至少一个的元素构成的纳米材料来制成所述多样传导媒介中的每样媒介。此外,所述多样传导媒介中的每样媒介可以具有作为引线、条带、管以及薄片中的至少一个的结构。
此外,所述多条连续传导路径中的每一条可以在期望操作频率处具有不大于趋肤深度的传导截面面积。在实施例中,所述趋肤深度“δ”可以计算为:
其中,μ0是真空的磁导率,μr是所述传导媒介的纳米材料的相对磁导率,ρ是所述传导媒介的纳米材料的电阻系数,f是期望操作频率。
所述期望操作频率可以与以下项中的至少一个对应:腔体滤波器的期望谐振频率、天线的期望谐振频率、波导的截止频率、同轴缆线的期望操作频率范围、包括腔体滤波器和天线的集成结构的组合操作频率范围。
所述多条连续传导路径中的每一条可以具有拥有50nm-4000nm的趋肤深度的均匀传导截面面积。在其它示例中,所述多条连续传导路径中的每一条可以具有拥有1000nm-3000nm的趋肤深度的均匀传导截面面积。在又一示例中,所述多条连续传导路径中的每一条可以具有拥有1500nm-2500nm的趋肤深度的均匀传导截面面积。
所述RF传导媒介可以还包括保护层,其覆盖所述连续传导路径的多个层,其中,所述保护层包括在期望操作频率处对于RF能量无传导并且最小吸收的材料。所述材料可以是聚合物涂层和玻璃纤维涂层中的至少一个。
另一实施例是一种射频(RF)传导媒介,其包括:多样传导媒介,其形成多条连续传导路径。以在横向电磁轴中传导并且在与所述横向电磁轴垂直的轴中弱传导的材料来制成所述传导媒介中的每个媒介。所述RF传导媒介还包括:RF惰性材料层,其环绕所述多样传导媒介。
所述RF惰性材料在期望操作频率处对于RF能量是无传导并且最小吸收的。此外,所述RF惰性材料层配置为将所述多样传导媒介紧固到电介质表面上。所述RF惰性材料可以是聚合物涂层和玻璃纤维涂层中的至少一个。
所述RF传导媒介可以还包括粘接剂,其用于将所述RF传导媒介粘接到所述表面。所述RF传导媒介可以还包括溶剂,其配置为在所述RF传导媒介施加到所述电介质表面上期间将所述RF传导媒介保持在黏性状态下。所述溶剂进一步配置为响应于受到热源激励而蒸发。
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