[发明专利]射频(RF)传导媒介

权利要求书

1.一种用于以期望操作频率传导RF信号的射频(RF)传导媒介，所述媒介包括：

保护层；

多条连续传导路径，其布置在第一方向中并且处于所述保护层和结构性电介质层之间；以及

电介质材料，其在所述第一方向中周期性地环绕所述多条连续传导路径中的每一条，所述电介质材料配置为：隔离所述多条传导路径中的每一条以防在与所述第一方向垂直的第二方向中传送RF能量，所述电介质材料进一步配置为：为所述多条连续传导路径中的每一条提供机械支撑，

其中，所述多条连续传导路径中的每条连续传导路径在所述期望操作频率具有不大于趋肤深度“δ”的传导横截面积，

其中，一RF短路部为所述RF能量提供通道，以从所述多条连续传导路径中的第一连续传导路径传递到所述多条连续传导路径中的第二连续传导路径。

2.如权利要求1所述的RF传导媒介，还包括：溶剂，其配置为：在所述电介质材料施加到所述结构性电介质层的表面期间将所述电介质材料保持在黏性状态下，所述溶剂进一步配置为：响应于受到热源激励而蒸发。

3.如权利要求1所述的RF传导媒介，其中，所述多条连续传导路径中的每条连续传导路径是用作为银、铜、铝和金中的至少一个的元素构成的纳米材料制成的。

4.如权利要求1所述的RF传导媒介，其中，所述多条连续传导路径中的每条连续传导路径是用作为引线、条带、管和薄片中的至少一个的结构制成的。

5.如权利要求1所述的RF传导媒介，其中，所述期望操作频率与以下项中的至少一个对应：腔体滤波器的期望谐振频率、天线的期望谐振频率、波导的截止频率、同轴缆线的期望操作频率范围、包括腔体滤波器和天线的集成结构的组合操作频率范围。

6.如权利要求1所述的RF传导媒介，其中，趋肤深度“δ”处于50nm-4000nm的范围。

7.如权利要求1所述的RF传导媒介，其中，趋肤深度“δ”处于1000nm-3000nm的范围。

8.如权利要求1所述的RF传导媒介，其中，趋肤深度“δ”处于1500nm-2500nm的范围。

9.如权利要求1所述的RF传导媒介，其中，所述保护层包括在所述期望操作频率处对于RF能量无传导并且最小吸收的材料。

10.如权利要求9所述的RF传导媒介，其中，所述材料是聚合物涂层和玻璃纤维涂层中的至少一个。

11.一种用于以期望操作频率传导RF信号的射频(RF)传导媒介，所述媒介包括：

保护层；

多条连续传导路径，其布置在所述保护层和结构性电介质层之间，所述多条连续传导路径中的每一条包括在第一方向中传导并且在与所述第一方向垂直的第二方向中弱传导的材料；以及

RF惰性材料层，其环绕所述多条连续传导路径，所述RF惰性材料在期望操作频率处对于RF能量是无传导并且最小吸收的，所述RF惰性材料层配置为：将所述多条连续传导路径紧固到所述结构性电介质层的电介质表面，

其中，所述多条连续传导路径中的每条连续传导路径在所述期望操作频率具有不大于趋肤深度“δ”的传导横截面积，

其中，一RF短路部为所述RF能量提供通道，以从所述多条连续传导路径中的第一连续传导路径传递到所述多条连续传导路径中的第二连续传导路径。

12.如权利要求11所述的RF传导媒介，还包括粘接剂，其用于将所述RF传导媒介粘接到所述结构性电介质层的所述电介质表面。

13.如权利要求11所述的RF传导媒介，还包括：溶剂，其配置为：在所述RF惰性材料层施加到所述结构性电介质层的所述电介质表面期间将所述RF惰性材料层保持在黏性状态下，所述溶剂进一步配置为响应于受到热源激励而蒸发。

14.如权利要求11所述的RF传导媒介，其中，所述多条连续传导路径中的每一条是用作为碳和石墨烯中的至少一个的纳米材料制成的。

15.如权利要求11所述的RF传导媒介，其中，所述多条连续传导路径中的每一条是用单壁化碳纳米管(SWCNT)、多壁化纳米管(MWCNT)和石墨烯中的至少一个制成的。