[发明专利]复合基板、压电装置及复合基板的制造方法在审

专利信息
申请号: 201380033657.1 申请日: 2013-07-11
公开(公告)号: CN104396142A 公开(公告)日: 2015-03-04
发明(设计)人: 堀裕二;多井知义;浜岛章;仲原利直 申请(专利权)人: 日本碍子株式会社
主分类号: H03H9/145 分类号: H03H9/145
代理公司: 上海市华诚律师事务所 31210 代理人: 李晓
地址: 日本爱知县名古*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 复合 压电 装置 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及复合基板、压电装置及复合基板的制造方法。

背景技术

一直以来,已知有使用压电基板的传感器、弹性表面波装置等压电装置。例如,专利文献1记载了在压电基板上制造有梳齿状激发电极(IDT电极)的弹性表面波元件。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本专利特开2006-128809号公报

发明内容

发明要解决的课题

压电装置也被用作手机使用的电子部件,需要其更加小型化。然而,例如作为一种弹性表面波装置的SAW滤波器,由于其元件的大小取决于操作频率,故减少安装面积是困难的。因此,为了小型化(减小体积),要求薄型化(low profile),将来要求将元件的厚度制成100μm以下。然而,如果压电基板的厚度变薄,那么具有各向异性的单晶材料例如LiTaO3和LiNbO3等易于产生裂纹等,从而变得难以处理。由此,要求LiTaO3或LiNbO3等压电基板较薄并且不易破裂。

本发明是为了解决上述问题而作的发明,其主要目的在于提供一种较薄并且可抑制裂纹产生的复合基板。

解决课题的方法

本发明的复合基板具有:压电基板;以及支持层,所述支持层接合于所述压电基板上,由在接合面内不具有结晶各向异性的材料制成,厚度在压电基板厚度以下。

本发明的压电装置具有:上述的本发明的复合基板以及形成于所述压电基板上的电极。

本发明的复合基板的制造方法包括:

(1)在压电基板上形成支持层的步骤,所述支持层由在与该压电体的接合面内不具有结晶各向异性的材料制成;以及(2)对所述压电基板的表面进行研磨的步骤,

其中,所述支持层的厚度在所述步骤(1)中形成为所述步骤(2)的研磨后的压电基板的厚度以下,或者在所述步骤(2)或所述步骤(2)前后通过研磨该支持层的表面以使支持层的厚度为所述步骤(2)的研磨后的压电基板的厚度以下。

发明效果

在本发明的复合基板中,由在接合面内不具有各向异性的材料制成的支持层与例如钽酸锂(LiTaO3,也记作LT)、铌酸锂(LiNbO3,也记作LN)等压电体相比,不易产生裂纹。因此,压电基板可用支持层增强。由此,可薄化复合基板,并且与压电基板不具有支持层的情况相比,可抑制压电基板中产生裂纹。此外,本发明的复合基板可将压电基板薄化至在压电基板不具有支持层的情况中会产生裂纹的厚度而不产生裂纹。由于复合基板如上所述较薄并且不易破裂,故本发明的压电装置可制成比以往更加薄型化的压电装置。通过本发明的复合基板的制造方法,可以相对简单地制造上述复合基板。

附图说明

图1为表示复合基板10的一个例子的说明图。

图2为图1的A-A截面图。

图3为表示复合基板110的截面的一个例子的说明图,该复合基板通过用直接接合方式来接合压电基板12和支持层14获得。

图4为表示将复合基板10用作作为弹性表面波装置的单埠SAW谐振器30的集合体时的状态的说明图。

图5为表示实施例1中改变基材厚度比Tr的情况下的基材厚度比Tr与最大位移之间关系的图。

符号说明

10,110复合基板、12压电基板、14支持层、16粘着层、30单埠SAW谐振器、32,34IDT电极、36反射电极

具体实施方式

本发明的复合基板具有:压电基板;以及支持层,所述支持层接合于所述压电基板上,由在接合面内不具有结晶各向异性的材料制成,厚度在压电基板厚度以下。优选支持层的厚度小于压电基板。支持层越薄,越可减薄复合基板整体。因为支持层的厚度过薄会导致过度的机械脆性,故将所述压电基板的厚度设为t1,将该支持层的厚度设为t2时,基材厚度比Tr=t2/(t1+t2)优选为0.1以上。进一步地,由于加热复合基板时压电基板与支持层之间的热膨胀系数差所导致的翘曲变得过大,故基材厚度比Tr优选为0.4以下,更优选为0.3以下。基材厚度比Tr优选为0.1以上且0.4以下,更优选为0.1以上且0.3以下。压电基板的厚度t1没有特别限制,例如为100μm以下,也可为50~70μm。支持层的厚度t2没有特别限制,例如为50μm以下,也可为10~20μm。压电基板的尺寸没有特别限制,例如直径为50~150mm。支持层的尺寸没有特别限制,例如直径为50~150mm。

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