[发明专利]复合基板、压电装置及复合基板的制造方法

权利要求书

1.一种复合基板，其具有：压电基板以及支持层，所述支持层接合于所述压电基板上，由在接合面内不具有结晶各向异性的材料制成，厚度在压电基板厚度以下。

2.如权利要求1所述的复合基板，其中，将所述压电基板的厚度设为t1，将所述支持层的厚度设为t2时，基材厚度比Tr＝t2/(t1+t2)为0.4以下。

3.如权利要求1或2所述的复合基板，其中，所述复合基板的总厚度为180μm以下。

4.如权利要求1～3中任一项所述的复合基板，其中，所述复合基板的总厚度为100μm以下。

5.如权利要求1～4中任一项所述的复合基板，其中，所述支持层由玻璃、Si、SiO2、蓝宝石、陶瓷中的任一个制成。

6.如权利要求1～5中任一项所述的复合基板，其中，所述支持层由陶瓷制成，所述陶瓷由氮化铝、氧化铝、ZnO和SiC中的任一个形成。

7.如权利要求1～6中任一项所述的复合基板，其中，所述压电基板由LiTaO3、LiNbO3、水晶中的任一个制成。

8.一种压电装置，其具有权利要求1～7中任一项所述的复合基板以及形成于所述压电基板上的电极。

9.一种复合基板的制造方法，其包括：

(1)在压电基板上形成支持层的步骤，所述支持层由在与该压电体的接合面内不具有结晶各向异性的材料制成；以及(2)对所述压电基板的表面进行研磨的步骤，

其中，所述支持层的厚度在所述步骤(1)中形成为所述步骤(2)的研磨后的压电基板的厚度以下，或者在所述步骤(2)或所述步骤(2)前后通过研磨该支持层的表面以使支持层的厚度为所述步骤(2)的研磨后的压电基板的厚度以下。