[发明专利]成型体及其制造方法有效
| 申请号： | 201380028642.6 | 申请日： | 2013-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN104797421A | 公开（公告）日： | 2015-07-22 |
| 发明（设计）人： | 松村忠佳;奥田畅 | 申请（专利权）人： | 旭化成化学株式会社 |
| 主分类号： | B32B27/06 | 分类号： | B32B27/06;B32B27/30;B32B1/02;B32B37/06;B32B37/10;B32B33/00;B65D65/40 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 丁香兰;褚瑶杨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 成型 及其 制造 方法 | ||
1.一种成型体，其为将具有阻隔层的层积膜成型而得到的成型体，
所述成型体具备开口面积为A的开口和构成用于容纳内容物的空间且表面积为B的内面，在所述内面的表面积B与所述开口的开口面积A之比B/A为1.2以上7以下、且该成型体的厚度的最大值为300μm以上的情况下，所述阻隔层的最小厚度TMIN与最大厚度TMAX之比TMIN/TMAX为0.2以上，在该成型体的厚度的最大值小于300μm的情况下，所述阻隔层的最小厚度TMIN与最大厚度TMAX之比TMIN/TMAX为0.12以上。
2.如权利要求1所述的成型体，其中，所述内面的表面积B与所述开口的开口面积A之比B/A为3.6以上7以下。
3.如权利要求1或2所述的成型体，其中，所述阻隔层在120℃条件下的热收缩率为1％以上5％以下。
4.如权利要求1～3的任一项所述的成型体，其中，所述阻隔层为聚偏二氯乙烯系膜。
5.如权利要求4所述的成型体，其中，所述聚偏二氯乙烯系膜的膜截面的二色性比为1.2～1.8。
6.如权利要求4或5所述的成型体，其中，所述聚偏二氯乙烯系膜的厚度为8μm～50μm。
7.如权利要求1～6的任一项所述的成型体，其中，在该成型体的厚度的最大值为300μm以上的情况下，所述阻隔层的最小厚度TMIN与最大厚度TMAX之比TMIN/TMAX为0.2以上0.5以下，
在该成型体的厚度的最大值小于300μm的情况下，所述阻隔层的最小厚度TMIN与最大厚度TMAX之比TMIN/TMAX为0.12以上0.5以下。
8.一种成型体的制造方法，其为制造权利要求1～7的任一项所述的成型体的方法，该制造方法具备以下工序：
实施热处理的工序，在Tm－30℃以上的温度条件下对包含熔点为Tm℃的树脂的阻隔膜实施热处理；
制作层积膜的工序，该层积膜包含实施了所述热处理的阻隔膜作为阻隔层；和
将所述层积膜成型为成型体的工序，其中，在所述内面的表面积B与所述开口的开口面积A之比B/A为1.2以上7以下、且该成型体的厚度的最大值为300μm以上的情况下，使所述阻隔层的最小厚度TMIN与最大厚度TMAX之比TMIN/TMAX为0.2以上，在该成型体的厚度的最大值小于300μm的情况下，使所述阻隔层的最小厚度TMIN与最大厚度TMAX之比TMIN/TMAX为0.12以上。
9.如权利要求8所述的成型体的制造方法，其中，所述实施热处理的工序和所述制作层积膜的工序通过挤出层压来实施。
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