[发明专利]摄像装置的制造方法以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201380028598.9 | 申请日： | 2013-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN104380466B | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 藤森纪幸;五十岚考俊;吉田和洋 | 申请（专利权）人： | 奥林巴斯株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/14 | 分类号： | H01L27/14;H01L23/12;H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇,张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 摄像 装置 制造 方法 以及 半导体 | ||
1.一种摄像装置的制造方法，其特征在于，该摄像装置的制造方法包括：
多个受光部形成于第1主面，切断在各个受光部的周围形成有电极焊盘的摄像芯片基板，制作多个摄像芯片的工序；
借助透明的粘接层将摄像芯片的上述第1主面粘接于透明的支承基板，并且，借助上述粘接层将虚设芯片粘接于上述支承基板的未粘接上述摄像芯片的外周区域而制作接合晶圆的工序；
利用密封构件将粘接于上述接合晶圆的上述摄像芯片以及上述虚设芯片之间填充的工序；
将上述接合晶圆从第2主面侧加工而减薄厚度的工序；
在上述第2主面上形成借助贯穿布线与上述电极焊盘连接的外部连接电极的工序；以及
切断上述接合晶圆的工序，
上述减薄厚度的工序包含CMP工序，
在上述CMP工序中，在相同的CMP条件下，上述虚设芯片的加工速度比上述摄像芯片的加工速度慢，上述虚设芯片的厚度与CMP加工中的摄像芯片的目标加工厚度相同。
2.根据权利要求1所述的摄像装置的制造方法，其特征在于，
经检查被判断为合格品的摄像芯片粘接于上述支承基板。
3.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，该半导体装置的制造方法包括：
多个半导体电路部形成于第1主面，切断在各个半导体电路部的周围形成有电极焊盘的半导体芯片基板，制作多个半导体芯片的工序；
借助粘接层将半导体芯片的上述第1主面粘接于支承基板，并且，借助上述粘接层将虚设芯片粘接于上述支承基板的未粘接上述半导体芯片的外周区域而制作接合晶圆的工序；
利用密封构件将粘接于上述接合晶圆的上述半导体芯片以及上述虚设芯片之间填充的工序；
将上述接合晶圆从第2主面侧加工而减薄厚度的工序；
在上述第2主面上形成借助贯穿布线与上述电极焊盘连接的外部连接电极的工序；以及
切断上述接合晶圆的工序，
上述减薄厚度的工序包含CMP工序，
在上述CMP工序中，在相同的CMP条件下，上述虚设芯片的加工速度比上述半导体芯片的加工速度慢，上述虚设芯片的厚度与CMP加工中的半导体芯片的目标加工厚度相同。
4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
经检查被判断为合格品的半导体芯片粘接于上述支承基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
