[发明专利]低功率相变存储器单元有效
| 申请号： | 201380027699.4 | 申请日： | 2013-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN104335350B | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | E.V.卡波夫;张国维;G.斯帕迪尼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨美灵;汤春龙<国际申请>=PCT/US |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 相变 存储器 单元 | ||
1.一种存储器，包括：
两个电极；以及
具有非晶重置状态和部分结晶设置状态的相变材料，所述相变材料耦合在所述两个电极之间；
其中所述设置状态中的所述相变材料在亚阈值电压区域中具有高度非线性电流-电压响应。
2.如权利要求1所述的存储器，其中所述相变材料包括铟、锗和碲。
3.如权利要求1所述的存储器，其中所述相变材料包括铟、锑和碲。
4.如权利要求1所述的存储器，其中如果在所述两个电极之间的所述电压低于1.5 V，则所述设置状态中的所述相变材料具有超过200的电阻。
5.如权利要求1所述的存储器，其中如果在所述两个电极之间的所述电压低于1.5 V，则低于1 的电流流过所述设置状态中的所述相变材料。
6.如权利要求1所述的存储器，其中如果跨所述两个电极的电压增大到阈值电压，则所述设置状态中的所述相变材料的电阻降低超过一个数量级。
7.如权利要求1所述的存储器，其中在低于100 ns内通过所述相变材料的低于200 的电流的脉冲将所述相变材料从所述设置状态更改到所述重置状态。
8.如权利要求1所述的存储器，其中所述亚阈值电压区域包括在0 V与2 V之间的电压电平。
9.如权利要求1所述的存储器，还包括耦合在控制线与所述两个电极之一之间的接入装置。
10.如权利要求9所述的存储器，其中所述接入装置是双向阈值开关或半导体二极管。
11.一种系统，包括：
生成存储器控制命令的处理器；以及
耦合到所述处理器，以响应所述存储器控制命令的至少一个存储器，所述至少一个存储器包括：
两个电极；以及
具有非晶重置状态和部分结晶设置状态的相变材料，所述相变材料耦合在所述两个电极之间；
其中所述设置状态中的所述相变材料在亚阈值电压区域中具有高度非线性电流-电压响应。
12.如权利要求11所述的系统，其中所述相变材料包括铟、锑和碲。
13.如权利要求11所述的系统，其中如果在所述两个电极之间的所述电压为低于1.5V，则所述设置状态中的所述相变材料具有超过200 的电阻。
14.如权利要求11所述的系统，其中如果跨所述两个电极的电压增大到阈值电压，则所述设置状态中的所述相变材料的电阻降低超过一个数量级。
15.如权利要求11所述的系统，其中在低于100 ns内通过所述相变材料的低于200 的电流的脉冲将所述相变材料从所述设置状态更改到所述重置状态。
16.如权利要求11所述的系统，其中所述亚阈值电压区域包括在0 V与2 V之间的电压电平。
17.如权利要求11所述的系统，所述至少一个存储器还包括耦合在控制线与所述两个电极之一之间的接入装置。
18.如权利要求17所述的系统，其中所述接入装置是双向阈值开关或半导体二极管。
19.如权利要求11所述的系统，还包括：
耦合到所述处理器，以便与外部装置进行通信的I/O电路。
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