[发明专利]发光器件、发光器件包装和光设备

权利要求书

1.一种发光器件，所述发光器件包含：

发光结构，所述发光结构包含第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层下的有源层和在所述有源层下的第二导电半导体层；

反射电极，所述反射电极布置在所述发光结构下，并包含在所述第二导电半导体层下的第一区域和从所述第一区域延伸并穿过所述第二导电半导体层和所述有源层的第二区域；

设置在所述反射电极下的金属层；以及

电连接到所述第一导电半导体层的电极，

其中从所述反射电极的第二区域延伸的所述反射电极的最上面与所述电极在垂直方向上重叠，

其中所述金属层与所述第二导电半导体层的底面接触，

其中所述金属层的第一区域的位置高于所述有源层，所述金属层的第二区域与所述第二导电半导体层的底面接触，

其中所述金属层的第三区域从所述金属层的第二区域向外延伸，

其中所述金属层的第三区域暴露于所述发光结构的下外围部。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述反射电极的最上面设置在所述第一导电半导体层中，

其中所述反射电极的第三区域设置在所述第一导电半导体层中。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述反射电极的第二区域以向上的方向对发射自所述有源层的光进行反射，

其中暴露于所述发光结构的下外围部的所述金属层的宽度为30μm～40μm。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述反射电极的第二区域包围所述有源层。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述反射电极的第二区域包围所述第二导电半导体层。

6.根据权利要求1所述的发光器件，还包含在所述反射电极的第二区域与所述第一导电半导体层之间的绝缘层。

7.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述绝缘层包含绝缘离子植入层。

8.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述绝缘层设置在所述反射电极与所述有源层之间。

9.根据权利要求1所述的发光器件，还包含在所述反射电极的第一区域与所述第二导电半导体层之间的欧姆接触层。

10.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述金属层与所述反射电极的第二区域接触。

11.根据权利要求10所述的发光器件，还包含在所述金属层下的结合层和支持构件。

12.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述电极与所述第一导电半导体层的顶面接触。

13.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述反射电极的最上面的宽度是所述电极的宽度的一到四倍。

14.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述电极的宽度为15μm～18μm。

15.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述反射电极的最上层的宽度为15μm～17μm。

16.一种发光器件包装，所述发光器件包装包含：

主体；

在所述主体上的发光器件；以及

电连接到所述发光器件的第一引线电极和第二引线电极，

其中所述发光器件包含：

发光结构，所述发光结构包含第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层下的有源层和在所述有源层下的第二导电半导体层；

反射电极，所述反射电极布置在所述发光结构下，并包含在所述第二导电半导体层下的第一区域和从所述第一区域延伸并穿过所述第二导电半导体层和所述有源层的第二区域；

设置在所述反射电极下的金属层；以及

电连接到所述第一导电半导体层的电极，

其中从所述反射电极的第二区域延伸的所述反射电极的最上面与所述电极在垂直方向上重叠，

其中所述金属层与所述第二导电半导体层的底面接触，

其中所述金属层的第一区域的位置高于所述有源层，所述金属层的第二区域与所述第二导电半导体层的底面接触，

其中所述金属层的第三区域从所述金属层的第二区域向外延伸，

其中所述金属层的第三区域暴露于所述发光结构的下外围部。