[发明专利]热致液晶粉末在审
| 申请号: | 201380024976.6 | 申请日: | 2015-08-02 |
| 公开(公告)号: | CN104508017A | 公开(公告)日: | 2015-07-29 |
| 发明(设计)人: | K·P·奈尔;J·P·舍费德 | 申请(专利权)人: | 提克纳有限责任公司 |
| 主分类号: | C08J3/12 | 分类号: | C08J3/12;C09D5/03;C08G63/60;C08G63/685;C08G63/688;C09K19/38;C09D167/03;C09D177/12 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 柳冀 |
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 液晶 粉末 | ||
1.一种粉末,其包含多个由熔融温度约280℃至约380℃的芳族聚酯形成的微粒,其中所述微粒具有约0.1至约200微米的平均粒度,和其中至少约50体积%的所述微粒具有约0.1至约200微米范围内的平均粒度。
2.权利要求1所述的粉末,其中所述微粒具有约0.1至约40微米的平均粒度和/或至少约90体积%的所述微粒具有约1至约50微米的平均粒度。
3.权利要求1或2所述的粉末,其中所述微粒具有约0.4至约2.0的长径比。
4.前述权利要求任一项所述的粉末,其中所述微粒为大体球形的。
5.前述权利要求任一项所述的粉末,其中所述芳族聚酯含有具有下述通式I的芳族二苯重复单元:
其中,
R5和R6独立地为卤素基、卤代烷基、烷基、烯基、芳基、杂芳基、环烷基或杂环基;
m和n独立地为0至4;
X1和X2独立地为O、C(O)、NH、C(O)HN或NHC(O);和
Z是O或SO2。
6.权利要求5所述的粉末,其中式I中m和n为0。
7.权利要求5所述的粉末,其中X1、X2或二者为O或NH。
8.权利要求5所述的粉末,其中Z是SO2。
9.权利要求8所述的粉末,其中所述二苯重复单元得自4-(4-羟基苯基)-磺酰基苯酚、4-(4-氨基苯基)磺酰基苯酚、4-(4-氨基苯基)磺酰基苯胺,或它们的组合。
10.权利要求5所述的粉末,其中Z是O。
11.权利要求5所述的粉末,其中所述芳族二苯重复单元构成约0.5mol.%至约40mol.%的所述聚酯。
12.前述权利要求任一项所述的粉末,其中所述芳族聚酯含有得自芳族二羧酸、芳族羟基羧酸或其组合的重复单元。
13.前述权利要求任一项所述的粉末,其中所述芳族二羧酸包括对苯二甲酸、间苯二甲酸或其组合,并且所述芳族羟基羧酸包括4-羟基苯甲酸。
14.权利要求13所述的粉末,其中所述聚酯进一步包含一个或多个得自芳族二醇、芳族酰胺、芳族胺或其组合的重复单元。
15.前述权利要求任一项所述的粉末,其中所述芳族聚酯为全芳族的。
16.一种形成层压体的方法,所述方法包括将前述权利要求任一项的粉末施加至基材。
17.权利要求16所述的方法,其中将所述粉末热喷涂到所述基材上,或使所述粉末形成溶液,然后施加至所述基材。
18.权利要求17所述的方法,其中所述基材为导电层。
19.一种形成粉末的方法,所述方法包括:
提供熔融温度为约280℃至约380℃的热致液晶芳族聚酯;和
使所述聚酯形成平均粒度为约0.1至约200微米的微粒。
20.权利要求19所述的方法,其中在不存在热处理步骤的情况下,形成所述微粒。
21.权利要求19或20所述的方法,其中所述微粒在单个步骤中形成。
22.权利要求19、20或21所述的方法,其中所述微粒是通过研磨形成的。
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