[发明专利]制造用于背光单元的光学器件的方法以及通过该方法制造的光学器件和光学器件阵列有效

专利信息
申请号: 201380024644.8 申请日: 2013-05-09
公开(公告)号: CN104302964B 公开(公告)日: 2017-05-10
发明(设计)人: 安范模;朴胜浩;南基明 申请(专利权)人: 普因特工程有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H05K1/18;H05K3/34
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司11262 代理人: 张春媛,阎娬斌
地址: 韩国忠*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 制造 用于 背光 单元 光学 器件 方法 以及 通过 阵列
【权利要求书】:

1.一种制造用于背光单元的光学器件的方法,该方法包括下述步骤:

(a)形成铝锭,其中通过键合多个插入到绝缘层之间的具有预定深度的铝板,将多个垂直绝缘层间隔地布置在所述铝锭中;

(b)通过垂直地切割所述铝锭以包括所述垂直绝缘层,并且切割所述铝锭使得多个垂直绝缘层间隔地平行布置,从而制备原始芯片基板;

(c)将所述原始基板部分切割至距所述原始基板上表面的预定深度,从而切割部分至少与所述多个垂直绝缘层正交,并且暴露将形成用于焊接的镀层的区域;

(d)执行镀敷,以至少在部分切割区域上形成镀层;

(e)将光学器件芯片安装在多个芯片基板区域上,所述多个芯片基板区域被划分以包括所述垂直绝缘层;及

(f)切割各个芯片基板区域,其中完全切割所述部分切割区域,同时沿着与所述垂直绝缘层平行的方向切割所述原始芯片基板,以使得芯片基板具有预定长度。

2.如权利要求1所述的方法,在步骤(b)和步骤(c)之间还包括:(pb1)将阻焊剂沉积在原始基板的上表面或下表面上。

3.如权利要求2所述的方法,其中,在步骤(pb1)中,阻焊剂至少沉积在原始基板的上表面上,

该方法在步骤(pb1)和步骤(d)之前还包括:形成腔,该腔包括距上表面预定深度的槽,并且包括原始基板上的垂直绝缘层,并且

步骤(e)在腔内执行。

4.如权利要求3所述的方法,还在步骤(pb1)和步骤(c)之间包括:(pb2)形成通孔,其中,垂直绝缘层插入在所述通孔之间,

其中,沿着通孔执行步骤(c)中的部分切割。

5.如权利要求2所述的方法,其中,在步骤(pb1)中,焊膏至少沉积在原始基板的上表面上,并且

焊膏在安装有光学器件芯片的区域被遮掩的状态下被沉积。

6.一种制造用于背光单元的光学器件的方法,该方法包括下述步骤:

(a)形成铝锭,其中通过键合多个插入到绝缘层之间的具有预定深度的铝板,将多个垂直绝缘层间隔地布置在所述铝锭中;

(b)通过垂直地切割所述铝锭以包括所述垂直绝缘层,并且切割所述铝锭使得多个垂直绝缘层间隔地平行布置,从而制备原始芯片基板;

(pc1)将阻焊剂沉积在所述原始基板的上表面或下表面上;

(pc2)形成通孔,其中,所述垂直绝缘层分别插入在所述通孔之间;

(d)执行镀敷,以在所述通孔内形成镀层;

(e)将光学器件芯片安装在多个芯片基板区域上,所述多个芯片基板区域被划分以包括垂直绝缘层;及

(f)沿着侧向方向和长度方向切割各个芯片基板区域,以使得所述芯片区域被单独分离,其中沿着侧向方向或纵向方向的切割线通过所述通孔。

7.如权利要求6所述的方法,其中,在步骤(pc1)中,阻焊剂至少沉积在原始基板的上表面上,

该方法在步骤(pc1)和步骤(d)之前还包括:形成腔,该腔包括距上表面预定深度的槽,并且包括原始基板上的垂直绝缘层,并且

步骤(e)在腔内执行。

8.如权利要求6所述的方法,其中,在步骤(pc1)中,焊膏至少沉积在原始基板的上表面上,并且

焊膏在安装有光学器件芯片的区域被遮掩的状态下被沉积。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的方法制造的用于背光单元的光学器件。

10.一种用于背光单元的光学器件阵列,其通过下述方法制造:将多个权利要求9中的光学器件间隔地焊接在印刷电路板上,从而光学器件设置成面向前表面,同时呈侧躺状态。

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