[发明专利]用于沉积腔室的冷却的反射接装板

说明书

技术领域

本文揭示的实施例涉及半导体工艺。更特别地，本文揭示的实施例涉及用于半导体基板的材料与热处理的设备和方法。

背景技术

材料工艺与热处理于半导体制造中十分常见，这是为了在基板上制造电子器件。在电子器件制造过程中，半导体基板常受材料工艺影响，所述材料工艺包括沉积、注入或蚀刻，而热处理可能在所述材料工艺之前、期间或之后执行。在一些热处理中，在材料工艺之后利用辐射源，比如灯来加热基板，所述辐射源将辐射能导向至基板以退火和/或于基板上执行快速热处理(RTP)。然而，所述热处理通常执行于分开的腔室中，这需要转移基板至另一腔室。在材料工艺期间，基板可被加热。然而，包含于基板中的大量的热能可能会散失至腔室部件和诸如机械叶片之类的转移装置，这降低了器件制造工艺的效率且增加了工艺时间。机器利用率，即机器运行以处理基板的时间，在减少制造的每一个晶片的成本中是一个关键因素。因此，存在着对更有效的半导体器件制造工艺及设备的持续性需求。

发明内容

揭示用于利用能够沉积材料于基板上的工艺腔室处理基板的方法与设备。所述腔室也用于在沉积之前、期间或之后加热基板。所述腔室还包括接装板(adapter plate)，所述接装板包括灯安装设备和反射表面，所述反射表面用来聚集辐射能至基板的表面。

在一实施例中，提供一种用于沉积腔室的接装板。所述接装板包含：主体；安装板，所述安装板中心地定位于所述主体上；第一环形部，所述第一环形部从所述安装板的第一表面纵向地延伸且从所述安装板的外表面径向向内设置；第二环形部，所述第二环形部从所述安装板的相对的第二表面纵向地延伸且从所述安装板的所述外表面径向向内设置；及镜面加工(mirror-finished)表面，所述镜面加工表面设置于所述第二环形部的内部，所述镜面加工表面具有6Ra或更小的平均表面粗糙度。

在另一实施例中，提供一种用于沉积腔室的接装板。所述接装板包含：主体，所述主体具有第一面和第二面，所述第一面设置于第一平面中，所述第二面与所述第一面相对；第一侧壁，所述第一侧壁接合至第一表面，所述第一侧壁设置于第二平面中，所述第二平面实质上垂直于所述第一平面；第二侧壁，所述第二侧壁接合至第二表面，所述第二侧壁设置于所述第二平面中；及向外延伸的凸缘，所述向外延伸的凸缘耦接在所述第一侧壁与所述第二侧壁间。

在另一实施例中，提供一种用于沉积腔室的接装板。所述接装板包含：主体，所述主体包含第一环形部和第二环形部，所述第一环形部具有第一面，所述第一面设置于第一平面中，所述第二环形部具有第二面，所述第二面设置于所述第一平面中与所述第一面相对；第一侧壁，所述第一侧壁接合至第一表面，所述第一侧壁设置于第二平面中，所述第二平面实质上垂直于所述第一平面；第二侧壁，所述第二侧壁接合至第二表面，所述第二侧壁设置于所述第二平面中；及向外延伸的凸缘，所述向外延伸的凸缘耦接在所述第一侧壁与所述第二侧壁间，所述向外延伸的凸缘具有热控通道的至少一部分形成于所述向外延伸的凸缘中。

附图说明

为了能够详细理解本发明的上述特征，可通过参照实施例而获得以上简要概括的本发明的更详细的描述，一些实施例描绘于附图中。然而，应注意附图仅绘示本发明的典型实施例，因此附图不应被视为对本发明范围的限制，因为本发明可允许其他等同有效的实施例。

图1为根据一个实施例的沉积腔室的示意截面图。

图2A为图1的接装板的等距顶视图。

图2B为图2A的接装板的等距底视图。

图2C为图2A的接装板的底部平面图。

图3为图2A的接装板的主体的部分截面图。

图4为图2A的接装板的沿图2C的线4-4的截面图。

图5为图2A的接装板的沿图2C的线5-5的截面图。

图6为图2A的接装板的沿图2C的线6-6的截面图。

图7为图1的接装板与屏蔽环的一部分的放大截面图。

图8A为接装板的另一实施例的等距顶视图，所述接装板可被用于图1的沉积腔室中。

图8B为图8A的接装板的等距底视图。

图9为接装板的一部分的示意截面图，所述图示出形成在所述接装板与相邻部件中和之间的不同传导区。

为了便于理解，已尽可能使用相同的标号以表示各图中共用的相同元件。可以预期的是，在一个实施例中揭示的各元件可被有利地使用于其他实施例而无须特定详述。

具体实施方式