[发明专利]半导体功率模块和装置

权利要求书

1.一种电子组件，包括：

第一晶体管，所述第一晶体管被包围在第一封装中，所述第一封装包括具有第一区域的第一导电部分，所述第一晶体管被安装在所述第一导电部分上方；

第二晶体管，所述第二晶体管被包围在第二封装中，所述第二封装包括具有第二区域的第二导电部分，所述第二晶体管被安装在所述第二导电部分上方；以及

基板，所述基板包括第一金属层和第二金属层之间的绝缘层，所述第一金属层在所述基板的第一侧上并且所述第二金属层在所述基板的第二侧上；其中

所述第一封装在所述基板的所述第一侧上，其中所述第一导电部分电连接到所述第一金属层；

所述第二封装在所述基板的所述第二侧上，其中所述第二导电部分电连接到所述第二金属层；以及

所述第一封装与所述第二封装相对，其中，所述第一导电部分的所述第一区域的至少50％与所述第二导电部分的所述第二区域相对。

2.根据权利要求1所述的电子组件，其中所述第一晶体管和第二晶体管是半桥电路的一部分。

3.根据权利要求2所述的电子组件，其中所述基板形成电容器，所述电容器用于在所述半桥电路的操作期间稳定所述第一金属层和第二金属层之间的电压。

4.根据权利要求3所述的电子组件，其中由所述基板形成的所述电容器是第一电容器，所述电子组件还包括与所述第一电容器并联连接的第二电容器。

5.根据权利要求4所述的电子组件，其中所述基板包括通孔，并且所述第二电容器的引线穿过所述通孔。

6.根据权利要求1所述的电子组件，所述第一封装具有源引线并且所述第二封装具有漏引线，其中所述源引线和漏引线相互电连接。

7.根据权利要求6所述的电子组件，其中所述基板包括通孔和连接器，所述连接器将所述第一封装的所述源引线穿过所述通孔电连接到所述第二封装的所述漏引线。

8.根据权利要求6所述的电子组件，其中所述第一晶体管具有电连接到所述第一导电部分的第一电极，并且所述第二晶体管具有电连接到所述第二导电部分的第二电极。

9.根据权利要求8所述的电子组件，其中所述第一电极是所述第一晶体管的漏极，并且所述第二电极是所述第二晶体管的源极。

10.根据权利要求1所述的电子组件，其中所述第一导电部分直接在所述第一金属层上并且接触所述第一金属层，所述第二导电部分直接在所述第二金属层上并且接触所述第二金属层。

11.根据权利要求1所述的电子组件，其中所述第一晶体管或所述第二晶体管是III族氮化物晶体管。

12.根据权利要求1所述的电子组件，其中所述第一晶体管或所述第二晶体管是横向器件。

13.根据权利要求1所述的电子组件，所述第一封装具有源引线并且所述第二封装具有漏引线，并且所述源引线基本上与所述漏引线对齐。

14.根据权利要求1所述的电子组件，还包括被包围在所述第一封装中的第三晶体管，其中所述第一晶体管的源极电连接到所述第三晶体管的漏极，并且所述第一晶体管的栅极电连接到所述第二晶体管的源极。

15.根据权利要求14所述的电子组件，其中所述第一晶体管是高压耗尽模式晶体管，并且所述第三晶体管是低压增强模式晶体管。