[发明专利]偏光薄膜、图像显示装置、以及偏光薄膜的制造方法无效

专利信息
申请号: 201380020727.X 申请日: 2013-03-22
公开(公告)号: CN104246553A 公开(公告)日: 2014-12-24
发明(设计)人: 中西贞裕;黑木美由纪 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: G02B5/30 分类号: G02B5/30;G02F1/1335
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 偏光 薄膜 图像 显示装置 以及 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种偏光薄膜,其包含下述通式(1)表示的双偶氮化合物,

Q表示取代或者未取代的苯基、或具有杂环的取代或者未取代的苯基,所述苯基的不相邻的碳原子可以被氮原子取代,R1表示烷基,R2表示氢、乙酰基、或取代或者未取代的苯甲酰基,n表示1或2,M表示抗衡离子。

2.根据权利要求1所述的偏光薄膜,其中,所述Q为下述通式(2)表示的苯基,

X表示碳数1~6的烷基、碳数1~6的烷氧基、碳数1~6的硫代烷基、碳数1~6的羟烷基、碳数1~6的烷基氨基、碳数1~6的羧酸酰胺基、卤代基、硝基、氰基、氨基、乙酰胺基、羧酸基、羟基、或-CONH2基,下标x表示所述X的取代数即0~5的整数,所述x为2以上时,所述X分别相同或不同。

3.根据权利要求1所述的偏光薄膜,其中,所述通式(2)的X为硝基或-CONH2基,所述通式(2)的x为1。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的偏光薄膜,其中,所述通式(1)的R1为碳数1~6的烷基,所述通式(1)的R2为氢或乙酰基。

5.一种图像显示装置,其具备权利要求1~4中任一项所述的偏光薄膜。

6.一种偏光薄膜的制造方法,其具有将包含下述通式(1)表示的双偶氮化合物和溶剂的涂布液涂覆在基材上的工序,

Q表示取代或者未取代的苯基、或具有杂环的取代或者未取代的苯基,所述苯基的不相邻的碳原子可以被氮原子取代,R1表示烷基,R2表示氢、乙酰基、或取代或者未取代的苯甲酰基,n表示1或2,M表示抗衡离子。

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