[发明专利]用于低功率闪存存储器的电压模式感测

权利要求书

1.一种电可擦除闪存存储器，包括：

多个数据存储元件，所述数据存储元件配置成存储多个数据位，所述多个数据位的每一个具有数据状态；

除所述多个数据存储元件之外的参考存储元件，所述参考存储元件用于存储参考值；以及

电压感测电路，所述电压感测电路选择性地耦合至所述多个数据存储元件和所述参考存储元件，并且所述电压感测电路配置成采用偏置电流和偏置电阻中的至少一个来偏置所述多个数据存储元件中的单独数据存储元件以及所述参考存储元件，并且读取存储在所述多个数据存储元件内的所述多个数据位中的单独数据位的所述数据状态，

其中，来自所述参考存储元件的输出提供指示：来自所述多个数据存储元件的数据读出为有效的。

2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于：

所述多个数据存储元件的每一个具有性能裕度；

其中所述电压感测电路被配置成采用作为读取偏置和裕度偏置中至少一个的所述偏置来选择性地偏置所述多个数据存储元件；以及

其中当所述电压感测电路采用所述裕度偏置来偏置所述多个数据存储元件中的所述单独数据存储元件时，所述多个数据存储元件中的所述单独数据存储元件引起指示所述多个数据存储元件中的所述单独数据存储元件的所述性能裕度的响应。

3.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述电压感测电路包括：

传感器；以及

偏置电路，所述偏置电路配置成采用所述偏置电阻来偏置所述传感器；

其中所述多个数据存储元件中的每一个被选定的数据存储元件引起所述传感器中的指示所述多个数据存储元件中的所述被选定的数据存储元件的所述数据状态的响应。

4.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述电压感测电路包括：

传感器；以及

偏置电路，所述偏置电路配置成采用所述偏置电流来偏置所述传感器；

其中所述多个数据存储元件中的每一个被选定的数据存储元件引起所述传感器中的指示所述多个数据存储元件中的所述被选定的数据存储元件的所述数据状态的响应。

5.如权利要求4所述的存储器，其特征在于：

所述多个数据存储元件中的每一个具有性能裕度；

其中所述偏置电路被配置成采用作为读取偏置和裕度偏置中的至少一个的所述偏置电流来选择性地偏置所述传感器；以及

其中，当所述偏置电路采用所述裕度偏置来偏置所述传感器时，所述多个数据存储元件中的所述单独数据存储元件，至少部分地基于来自所述参考存储元件的数据读出为有效的所述指示，引起所述传感器中的指示所述多个数据存储元件中的所述单独数据存储元件的所述性能裕度的响应。

6.如权利要求5所述的存储器，其特征在于，所述多个数据存储元件包括具有两个数据状态的二进制数据存储元件。

7.如权利要求6所述的存储器，其特征在于：

其中所述偏置电路配置成采用作为裕度高压和裕度低压之一的所述裕度偏置来选择性地偏置所述传感器；

其中当所述多个数据存储元件中的一个数据存储元件以所述两个数据状态中的第一数据状态存储并且所述偏置电路采用所述裕度高压配置时，所述传感器指示所述多个数据存储元件中的所述一个数据存储元件用于以所述两个数据状态中的所述第一状态存储的数据的所述性能裕度；以及

其中当所述多个数据存储元件中的一个数据存储元件以所述两个数据状态中的第二数据状态存储并且所述偏置电路采用所述裕度低压配置时，所述传感器指示所述多个数据存储元件中的所述一个数据存储元件用于以所述两个数据状态中的所述第二状态存储的数据的所述性能裕度。

8.如权利要求1所述的存储器，其特征在于：

所述多个数据存储元件组织到多个位线中；以及

其中所述存储器进一步包括可操作地耦合至所述多个位线的预放电电路；

其中所述预放电电路被配置成在所述多个数据存储元件中的所述单独数据存储元件引起指示所述多个数据存储元件的所述单独数据存储元件中的所述数据状态的响应之前将所述多个位线中的至少一个位线驱动至预定的电压水平。

9.如权利要求8所述的存储器，其特征在于，所述多个位线中，和所述多个数据存储元件中的所述单独数据存储元件不对应的每一个位线被驱动至所述预定的电压水平。