[发明专利]具有滴水边缘构造的衬底载体

说明书

技术领域

本申请要求序列号61/625083、2012年4月17日提交的、名为“Substrate carrier having drip edge configurations”的美国临时专利申请的权益，该美国临时专利申请通过引用被并入本文。

背景技术

在半导体处理中，在半导体设施中处理大量半导体衬底。例如，在圆形的单晶硅衬底上制造集成电路设备。太阳能电池通常在正方形或矩形的衬底(单晶硅或多晶硅)上制造。衬底被存储在载体中，该载体被设计为在不相互接触的情况下独立地保存每个衬底。

在单个衬底处理期间，将各个衬底从载体带到处理室中，在处理室中，每个衬底被单独处理。在批量处理(例如湿法蚀刻工艺)期间，将多个衬底转移到处理载体，该处理载体支撑衬底，而在衬底之间具有适当的分离，以使在载体内的所有衬底能均匀处理。然后将载体浸入填充有化学液体的槽中，该化学液体能够同时蚀刻所有衬底。

图1A-1C示出示例性现有技术的用于湿法处理的处理载体。在图1A中，示出支撑衬底110的载体100。载体100包括两个端板120，以及多个杆130。杆被间隔开以便允许衬底被定位在杆之间。载体110可包括用于支撑衬底的侧面的侧杆，以及用于支撑衬底底部的底杆。可例如包括可选的顶杆，以防止在移动期间衬底的掉落。杆130可包括齿135，齿135可分离衬底。

图1B示出具有齿135的杆130的一部分的细节。齿包括圆柱形状，被布置在水平方向。齿的分离大到足以容纳衬底110。在液体处理期间，液滴140可被粘附到载体表面，例如在齿135A(图1C)的表面上。当湿法处理完成时，从液体槽移除载体。液滴140可沿着齿的表面迁移，并且可能滴到衬底110上，形成污染斑145。

发明内容

在一些实施例中，提供系统和方法来减小由载体支撑的衬底中的液体污染。例如，在湿法工艺之后，载体可具有在其表面上积聚的液体。载体可被构造成减小或消除液体在衬底上的滴落，该滴落可能污染衬底表面。

在一些实施例中，载体可具有引导液体远离衬底的排水区域，从而任何液滴形成和释放将在衬底区域之外并且不在衬底上。排水区域可包括从衬底向着地面倾斜的线和面。排水区域可避免衬底区域附近或衬底区域中的可捕捉构造，例如在两个衬底之间限定的空间中的点形状、在两个衬底之间限定的空间中的水平线或面、或在两个衬底之间限定的空间中的朝向下的线或面。

在一些实施例中，载体可具有将液体引导到载体的一端的排水区域，该液体然后可被引流到地面而非自由落到地面。液滴的引流可避免液体的飞溅，因此可减小或消除可能的衬底污染。

附图说明

图2A-2E示出根据一些实施例的可积聚和滴落液滴的示例性表面构造。

图3A-3C示出根据一些实施例的衬底载体的齿的示例性倾斜构造。

图4A-4B示出根据一些实施例的具有倾斜齿构造的示例性载体。

图5A-5D示出根据一些实施例的具有倾斜齿构造的另一示例性载体。

图6A-6C示出根据一些实施例的示例性杆构造。

图7A-7D示出根据一些实施例的杆的示例性横截面。

图8A-8B示出根据本发明的一些实施例的示例性载体。

图9A-9C示出根据一些实施例的示例性载体构造。

具体实施方式

在一些实施例中，本发明公开了载体构造以减小或消除液滴污染，例如在湿法处理之后发生的液滴污染。该载体构造包括引导远离衬底区域的滴水边缘，防止液滴落到衬底表面上。

在一些实施例中，本发明认识到尤其在衬底表面的区域内的向下倾斜的(例如垂直)表面或路径可能积聚液滴，该液滴然后可能落在衬底上而污染衬底。此外，水平表面可能积聚液滴，因此可能使液滴落在衬底上。

图2A-2E示出根据一些实施例的可能积聚液滴并且滴落液滴的示例性表面构造。在图2A中，示出了垂直表面210，其中液滴240可沿垂直表面210(例如在重力下)向下流淌以积聚在表面210的底部。液滴240可沿着该路线收集另外的液体，并且可变得大到足以从垂直表面210滴落。如果液滴240在衬底表面附近形成，则液滴可能落到衬底上，生成污染斑。

在图2B中，示出弯曲表面212，其包括用于液滴行进的多个垂直路径222。液滴242可沿垂直路径222(例如在重力下)向下流淌以积聚在表面212的底部。液滴242可沿着该路线收集另外的液体，并且可变得大到足以从垂直表面212滴落。