[发明专利]太阳能电池及其制造方法在审
申请号: | 201380019280.4 | 申请日: | 2013-04-08 |
公开(公告)号: | CN104221158A | 公开(公告)日: | 2014-12-17 |
发明(设计)人: | 秋元英树;菊池智惠子 | 申请(专利权)人: | E.I.内穆尔杜邦公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 江磊 |
地址: | 美国特*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池及其制造方法。
背景技术
在半导体层的背侧面表面上具有钝化层的太阳能电池通常具有背侧面电极,所述背侧面电极穿过钝化层以与半导体层电接触。
US20090301557公开了用于制备钝化发射极和后部电池(PERC)太阳能电池的方法,所述太阳能电池在背侧面上具有钝化层。背侧面电极在钝化层上形成,所述钝化层具有孔,使得其能够与半导体接触。
WO2009/032429公开了一种制备PERC太阳能电池的方法。通过丝网印刷并焙烧包含另一种金属诸如银、铜、镍的铝浆料而在背侧面上的钝化层上部分地形成背侧面电极,所述另一种金属能够烧透钝化层。
发明内容
一个目的是提供通过使用银浆料和铝浆料来制造太阳能电池背侧面电极的方法。
一个方面涉及一种用于制造太阳能电池的方法,该方法包括以下步骤:a)提供具有受光侧面和背侧面的半导体基板,其中在背侧面上形成钝化层;b)以指定图案在半导体基板的背侧面上形成包含含银粉末的银导体图案;c)以指定图案在半导体基板的背侧面上形成包含铝粉末的铝导体图案,铝导体图案的至少一部分叠加在银导体图案的至少一部分上;以及d)同时焙烧银导体图案和铝导体图案,从而通过在其中银导体图案和铝导体图案叠加的区域中烧透而在半导体基板和铝导体图案之间形成电触点,其中通过烧透形成的电触点不形成于其中银导体图案和铝导体图案不叠加的区域中。
另一方面涉及一种用于制造太阳能电池的方法,该方法包括以下步骤:a)提供具有受光侧面和背侧面的半导体基板,其中在背侧面上形成钝化层;b)以指定图案将包含含银粉末的第一导电膏施涂在半导体基板的背侧面上,从而形成银导体图案;c)以指定图案将包含铝粉末的第二导电膏施涂在半导体基板的背侧面上,从而形成铝导体图案,铝导体图案的至少一部分叠加在银导体图案的至少一部分上;以及d)同时焙烧银导体图案和铝导体图案,从而通过在其中银导体图案和铝导体图案叠加的区域中烧透而在半导体基板和铝导体图案之间形成电触点,其中通过烧透形成的电触点不形成于其中银导体图案和铝导体图案不叠加的区域中。
另一方面涉及一种用于制造太阳能电池的方法,该方法包括以下步骤:a)提供具有受光侧面和背侧面的半导体基板,其中在背侧面上形成钝化层;b)以指定图案将包含铝粉末的第二导电膏施涂在半导体基板的背侧面上,从而形成铝导体图案;c)以指定图案将包含含银粉末的第一导电膏施涂在半导体基板的背侧面上,从而形成铝导体图案,银导体图案的至少一部分叠加在铝导体图案的至少一部分上;以及d)同时焙烧银导体图案和铝导体图案,从而通过在其中银导体图案和铝导体图案叠加的区域中烧透而在半导体基板和铝导体图案之间形成电触点,其中通过烧透形成的电触点不形成于其中银导体图案和铝导体图案不叠加的区域中。
通过本发明形成的太阳能电池可具有优异的电性能。
附图说明
图1A至1D说明了制造太阳能电池的方法。
图2(a)、(b)和(c)为背侧面上的Ag导体图案和Al导体图案的后视图。
图3(a)、(b)和(c)为背侧面上的Ag导体图案和Al导体图案的横截面图。
具体实施方式
用于制造太阳能电池的方法包括以下步骤:a)提供半导体基板;b)形成银(Ag)导体图案;c)形成铝(Al)导体图案;以及d)同时焙烧Ag导体图案和Al导体图案。
在一个实施例中,通过施涂Ag浆料来形成Ag导体图案。在另一个实施例中,通过气相沉积含Ag粉末来形成Ag导体图案。
在一个实施例中,通过施涂Al浆料来形成Al导体图案。在另一个实施例中,通过气相沉积Al来形成Al导体图案。
下文参见图1A至1D作为使用浆料的实施例来说明制造太阳能电池的方法。
制备半导体基板10(图1A)。钝化层12a和另一个钝化层12b分别完全在半导体基板10的背侧面和受光侧面上形成。所述PERC太阳能电池的特征在于背侧面上的钝化层12a,所述钝化层能够减少靠近背侧面表面的空穴和电子的重组。虽然半导体层10的受光侧面上的钝化层12b在本发明中不是必需的,但其能够用作减反射涂层(ARC)以及钝化层。
在一个实施例中,半导体基板10可为在半导体基板10的受光侧面上形成的p掺杂的硅片和n型扩散层。所述p掺杂的硅片可掺杂有硼。
钝化层12a和12b能够由氧化钛、氧化铝、氮化硅、氧化硅、氧化铟锡、氧化锌或碳化硅形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于E.I.内穆尔杜邦公司,未经E.I.内穆尔杜邦公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380019280.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:中置柜用集中监控告警装置
- 下一篇:由水力压裂法开采烃流体的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的