[发明专利]太阳能电池及其制造方法在审
| 申请号: | 201380019280.4 | 申请日: | 2013-04-08 |
| 公开(公告)号: | CN104221158A | 公开(公告)日: | 2014-12-17 |
| 发明(设计)人: | 秋元英树;菊池智惠子 | 申请(专利权)人: | E.I.内穆尔杜邦公司 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 江磊 |
| 地址: | 美国特*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
1.用于制造太阳能电池的方法,包括以下步骤:
a)提供半导体基板,所述半导体基板具有受光侧面和背侧面,其中在背侧面上形成钝化层;
b)以指定图案将包含含银粉末的第一导电膏施涂在所述半导体基板的背侧面上,从而形成银导体图案;
c)以指定图案将包含铝粉末的第二导电膏施涂在所述半导体基板的背侧面上,从而形成铝导体图案,所述铝导体图案的至少一部分叠加在所述银导体图案的至少一部分上;以及
d)同时焙烧所述银导体图案和所述铝导体图案,从而通过在其中所述银导体图案和所述铝导体图案叠加的区域中烧透而在所述半导体基板和所述铝导体图案之间形成电触点,
其中通过所述烧透形成的电触点不形成于其中所述银导体图案和所述铝导体图案不叠加的区域中。
2.用于制造太阳能电池的方法,包括以下步骤:
a)提供半导体基板,所述半导体基板具有受光侧面和背侧面,其中在背侧面上形成钝化层;
b)以指定图案将包含铝粉末的第二导电膏施涂在所述半导体基板的背侧面上,从而形成铝导体图案;
c)以指定图案将包含含银粉末的第一导电膏施涂在所述半导体基板的背侧面上,从而形成银导体图案,所述银导体图案的至少一部分叠加在所述铝导体图案的至少一部分上;以及
d)同时焙烧所述银导体图案和所述铝导体图案,从而通过在其中所述银导体图案和所述铝导体图案叠加的区域中烧透而在所述半导体基板和所述铝导体图案之间形成电触点,
其中通过所述烧透形成的电触点不形成于其中所述银导体图案和所述铝导体图案不叠加的区域中。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其中所述半导体基板为p掺杂的硅片,并且其中在所述半导体基板的受光侧面上形成n型扩散层。
4.根据权利要求1或2所述的方法,其中所述钝化层由氧化钛、氧化铝、氮化硅、氧化硅、氧化铟锡、氧化锌或碳化硅形成。
5.根据权利要求1或2所述的方法,其中基于所述第一导电膏的重量计,所述第一导电膏包含0.1至95重量%的含银粉末和5至99.9重量%的有机介质。
6.根据权利要求1或2所述的方法,其中基于所述第二导电膏的重量计,所述第二导电膏包含30至90重量%的铝粉末和10至70重量%的有机介质。
7.根据权利要求1或2所述的方法,其中所述第一导电膏和所述第二导电膏分别被丝网印刷到所述半导体基板的背侧面上的钝化层12a上。
8.根据权利要求1或2所述的方法,其中基于所述半导体基板的背部表面积计,其中所述银导体图案和所述Al导体图案叠加的区域的面积为0.001至50%。
9.根据权利要求1或2所述的方法,其中以某种图案施涂所述第二导电膏,使得所述银导体图案的一部分与所述Al导体图案叠加并且所述银导体图案的其余部分不与所述Al导体图案叠加。
10.根据权利要求8所述的方法,所述银导体图案的其余部分的至少一部分用作所述半导体基板的背侧面上的片式电极。
11.用于制造太阳能电池的方法,包括以下步骤:
a)提供半导体基板,所述半导体基板具有受光侧面和背侧面,其中在背侧面上形成钝化层;
b)以指定图案在所述半导体基板的背侧面上形成包含含银粉末的银导体图案;
c)以指定图案在所述半导体基板的背侧面上形成包含铝粉末的铝导体图案,所述铝导体图案的至少一部分叠加在所述银导体图案的至少一部分上;以及
d)同时焙烧所述银导体图案和所述铝导体图案,从而通过在其中所述银导体图案和所述铝导体图案叠加的区域中烧透而在所述半导体基板和所述铝导体图案之间形成电触点,
其中通过所述烧透形成的电触点不形成于其中所述银导体图案和所述铝导体图案不叠加的区域中。
12.用于制造太阳能电池的方法,包括以下步骤:
a)提供半导体基板,所述半导体基板具有受光侧面和背侧面,其中在背侧面上形成钝化层;
b)以指定图案在所述半导体基板的背侧面上形成包含铝粉末的铝导体图案
c)以指定图案在所述半导体基板的背侧面上形成包含含银粉末的银导体图案,所述银导体图案的至少一部分叠加在所述铝导体图案的至少一部分上;以及
d)同时焙烧所述银导体图案和所述铝导体图案,从而通过在其中所述银导体图案和所述铝导体图案叠加的区域中烧透而在所述半导体基板和所述铝导体图案之间形成电触点,
其中通过所述烧透形成的电触点不形成于其中所述银导体图案和所述铝导体图案不叠加的区域中。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于E.I.内穆尔杜邦公司,未经E.I.内穆尔杜邦公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





