[发明专利]半导体装置的制造方法以及制造装置

说明书

技术领域

本发明涉及能容易地检测结晶缺陷位置的半导体装置的制造方法以及制造装置。

背景技术

作为下一代半导体材料，期待使用碳化硅(SiC)。由SiC构成的半导体元件与目前由硅(Si)构成的情况相比，具有以下特征：能将导通状态下的元件电阻(导通电阻)降低到几百分之一、能在200℃以上的高温环境下使用等特征。

上述SiC的特征来源于材料本身的优异特性。即，SiC具有如下特征：4H－SiC具有3.25eV的带隙，与Si的1.12eV相比，大概为3倍左右，电场强度为2～4mV/cm，比Si大了将近1位。尝试着将这种SiC制作成例如二极管等整流器件、晶体管、晶闸管等开关器件等各种器件。

然而，SiC基板上存在各种结晶缺陷、错位，若进一步在SiC基板上形成外延膜，则该结晶缺陷会有增大的趋势。在利用该SiC基板形成的肖特基二极管等碳化硅半导体装置中，该结晶缺陷是导致耐压下降、漏电流增加的主要原因。

因此，需要在将SiC基板制作成半导体装置的阶段以前获取上述结晶缺陷在晶片面内的位置、分别是何种缺陷的信息，提出了该用途的检查装置(例如参照下述专利文献1～3)。专利文献1、2的技术利用电致发光法来检测结晶缺陷的分布，专利文献3的技术在测定位置照射激励光或者施加电压来发光，并在多个测定位置检测该发光，从而获得结晶缺陷位置的映射。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2007－318029号公报

专利文献2：日本专利特开2007－318030号公报

专利文献3：日本专利特开2007－318031号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

然而，在上述方法中，每一次测定中检测到的缺陷位置会根据SiC基板的形状、SiC基板相对于检测装置的设置位置而产生微妙的偏差。因此，即使使用这种检查装置，在半导体装置的制造工序中，当对半导体基板进行分割时，无法容易地对哪个半导体装置的哪个位置包含结晶缺陷进行判断。

本发明鉴于上述问题，其目的在于能容易地检测出半导体基板上的结晶缺陷的位置包含在哪个半导体装置的哪个位置。

解决技术问题所采用的技术方案

为了实现上述目的，本发明的半导体装置的制造方法具有以下特征。进行形成作为对在半导体基板内部制作的芯片的区域进行规定的坐标位置的基准的标记的工序。并且进行检测所述半导体基板上的结晶缺陷的工序、以及基于所述标记对检测出的所述结晶缺陷的坐标位置进行检测的工序。

其特征还在于，还包括：在所述半导体基板上制作多个半导体装置时、基于所述坐标位置、检测所述结晶缺陷包含在多个所述半导体装置中的哪一个半导体装置中的工序。

其特征还在于，在检测所述结晶缺陷的同时形成所述标记。

其特征还在于，在检测出所述结晶缺陷后形成所述标记。

其特征还在于，使用碳化硅作为所述半导体基板。

其特征还在于，使用氮化镓作为所述半导体基板。

其特征还在于，利用激光来形成所述标记。

其特征还在于，利用光刻来形成所述标记。

其特征还在于，利用物理切削来形成所述标记。

其特征还在于，对所述半导体基板照射照射光，并基于该照射光的散射、反射、透射来检测所述结晶缺陷。

本发明的半导体装置的制造装置包括：标记形成部，该标记形成部形成作为对在半导体基板内部制作的芯片的区域进行规定的坐标位置的基准的标记；以及检查部，该检查部检测所述半导体基板上的结晶缺陷。其特征还在于，所述检查部基于所述标记对检测出的所述结晶缺陷的坐标位置进行检测。

根据上述结构，在半导体基板上形成作为基准的标记，在检测半导体基板上的结晶缺陷时，基于标记对检测到的结晶缺陷的坐标位置进行检测。由此，在半导体基板上制作多个半导体装置时，能检测出哪个半导体装置的哪个位置包含结晶缺陷。

发明效果

若采用上述方法，则具有能容易地检测出半导体基板上结晶缺陷的位置包含在哪个半导体装置的哪个位置的效果。

附图说明

图1是表示半导体基板上的标记的俯视图。

图2是表示半导体基板上的缺陷位置的俯视图。

图3是表示半导体基板上制作的芯片阵列的图。

图4是表示半导体基板的制造工序的一示例的流程图。

具体实施方式

下面参照附图，详细说明本发明所涉及的半导体装置的制造方法以及制造装置的优选实施方式。