[发明专利]半导体装置的制造方法以及制造装置有效
| 申请号： | 201380018848.0 | 申请日： | 2013-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN104205316A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 田中敦之;辻崇 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 干欣颖 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 以及 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：形成作为对在半导体基板内部制作的芯片的区域进行规定的坐标位置的基准的标记的工序；
检测所述半导体基板上的结晶缺陷的工序；以及
基于所述标记对检测出的所述结晶缺陷的坐标位置进行检测的工序。
2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还包括：在所述半导体基板上制作多个半导体装置时、基于所述坐标位置、检测所述结晶缺陷包含在多个所述半导体装置中的哪一个半导体装置中的工序。
3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在检测所述结晶缺陷的同时形成所述标记。
4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在检测到所述结晶缺陷后形成所述标记。
5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，使用碳化硅作为所述半导体基板。
6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，使用氮化镓作为所述半导体基板。
7.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，利用激光来形成所述标记。
8.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，利用光刻来形成所述标记。
9.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，利用物理切削来形成所述标记。
10.如权利要求1至9的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，对所述半导体基板照射照射光，并基于该照射光的散射、反射、透射来检测所述结晶缺陷。
11.一种半导体装置的制造装置，其特征在于，包括：标记形成部，该标记形成部形成作为对在半导体基板内部制作的芯片的区域进行规定的坐标位置的基准的标记；以及
检查部，该检查部检测所述半导体基板上的结晶缺陷，
所述检查部基于所述标记对检测出的所述结晶缺陷的坐标位置进行检测。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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