[发明专利]具有波长转换侧面涂层的发光器件

说明书

本发明的实施例包括半导体发光器件、布置在半导体发光器件的顶表面上的第一波长转换构件和布置在半导体发光器件的侧表面上的第二波长转换构件。第一和第二波长转换构件包括不同的波长转换材料。

技术领域

本发明涉及半导体发光器件，诸如与包括诸如磷光体之类的波长转换材料的侧面涂层结合的发光二极管。

背景技术

包括发光二极管（LED）、谐振腔发光二极管（RCLED）、垂直腔激光二极管（VCSEL）和边缘发射激光器的半导体发光器件是当前可用的最高效的光源之一。当前在能够跨可见光谱进行操作的高亮度发光器件的制造中感兴趣的材料体系包括III-V族半导体，特别是镓、铝、铟和氮的二元、三元和四元合金，其也被称为III族氮化物材料。典型地，通过借由金属-有机化学气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）或其它外延技术在蓝宝石、碳化硅、III族氮化物或其它适合的衬底上外延生长不同组成和掺杂浓度的半导体层的堆叠来制作III族氮化物发光器件。堆叠通常包括形成在衬底之上的掺杂有例如Si的一个或多个n型层、形成在一个或多个n型层之上的有源区中的一个或多个发光层以及形成在有源区之上的掺杂有例如Mg的一个或多个p型层。电接触形成在n型区和p型区上。

Ⅲ族氮化物器件可以如本领域中已知的那样与诸如磷光体之类的波长转换材料结合以形成白光或者其它颜色的光。波长转换材料吸收由III族氮化物器件的发光区发射的光并且发射不同波长的光。波长转换的III族氮化物器件可以被用于许多应用，诸如一般照明、用于显示器的背光、汽车光照和照相机闪光灯，即频闪灯（strobe）或者其它闪光灯。

发明内容

本发明的目的是提供一种具有波长转换侧面涂层的半导体发光器件。侧面涂层可以改善器件的效率。

本发明的实施例包括半导体发光器件、布置在半导体发光器件的顶表面上的第一波长转换构件以及布置在半导体发光器件的侧表面上的第二波长转换构件。第一和第二波长转换构件包括不同的波长转换材料。

根据本发明的实施例的方法包括提供半导体发光器件。第一波长转换材料布置在半导体发光器件的顶表面之上。在将第一波长转换材料布置在半导体发光器件的顶表面之上之后，第二波长转换材料布置在半导体发光器件的侧表面上。

附图说明

图1图示了布置在LED的顶表面上的波长转换层。

图2图示了根据本发明的实施例的结构，包括LED、波长转换层和波长转换侧面涂层。

图3、4和5图示了预制的波长转换结构。

图6图示了根据本发明的实施例的方法。

具体实施方式

图1图示了诸如LED 10之类的半导体器件，其具有诸如布置在LED的顶表面上的磷光体层之类的波长转换结构12。波长转换结构12可以是预制的结构，即从LED 10分离地制作然后附接到LED 10。预制的波长转换结构12的一个示例是陶瓷磷光体，其在通过引用并入于此的US 7,361,938中被更加详细地描述。可以通过将粉末磷光体烧结到陶瓷体中来形成陶瓷磷光体。加热磷光体颗粒直到它们开始融化并且粘结在一起。经加热的磷光体颗粒然后形成到陶瓷板坯中。陶瓷板坯可以无常规的粘合剂材料，诸如有机粘合剂材料、环氧树脂、硅树脂、无机粘合剂材料和玻璃。预制的波长转换结构12的另一示例是布置在诸如玻璃或硅树脂之类的透明基质中的磷光体或者其它波长转换材料。预制的波长转换结构通常被形成为大片，其然后被分离成具有对应于LED 10的大小的结构。结果，如图1中所示，预制的波长转换结构12通常不覆盖LED 10的侧面。