[发明专利]具有波长转换侧面涂层的发光器件

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

半导体发光器件；

第一波长转换构件，其布置在半导体发光器件的第一表面上，其中第一波长转换构件不宽于第一表面；以及

第二波长转换构件，其在半导体发光器件的侧表面上，其中第二波长转换构件不在第一表面之上延伸；

其中第一波长转换构件包括直接接触第一表面的第一波长转换材料，第二波长转换构件与第一波长转换材料不同，并且第二波长转换材料可由第一波长转换材料发射的光激发。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中第一波长转换构件包括预制的波长转换构件。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其中第一波长转换构件包括嵌入在透明材料中的磷光体。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其中第一波长转换构件包括陶瓷磷光体。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其中第二波长转换构件包括布置在透明基质中的粉末磷光体。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其中：

第一波长转换构件包括发射绿光或者黄光的波长转换材料；并且

第二波长转换构件包括发射红光的波长转换材料。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其中第二波长转换构件包括散射颗粒。

8.一种用于制造半导体结构的方法，包括：

提供半导体发光器件；

将第一波长转换材料布置在半导体发光器件的第一表面之上，其中第一波长转换材料局限于不宽于第一表面的区域并且直接接触第一表面；以及

在将第一波长转换材料布置在半导体发光器件的第一表面之上之后，将第二波长转换材料层压在半导体发光器件的侧表面上，其中第二波长转换材料的片不在第一表面之上延伸，并且

其中第二波长转换材料可由第一波长转换材料发射的光激发。

9.如权利要求8所述的用于制造半导体结构的方法，其中将第一波长转换材料布置在半导体发光器件的第一表面之上包括将预制的波长转换构件附接到半导体发光器件的第一表面。

10.如权利要求9所述的用于制造半导体结构的方法，其中第一波长转换材料是陶瓷磷光体。

11.如权利要求9所述的用于制造半导体结构的方法，其中第一波长转换材料是嵌入在玻璃中的磷光体。

12.如权利要求9所述的用于制造半导体结构的方法，其中预制的波长转换构件包括波长转换材料的第一区和透明材料的第二区。

13.如权利要求12所述的用于制造半导体结构的方法，其中将预制的波长转换构件附接到半导体发光器件的第一表面包括附接预制的波长转换构件使得第一区布置在半导体发光器件与第二区之间。

14.如权利要求12所述的用于制造半导体结构的方法，其中将预制的波长转换构件附接到半导体发光器件的第一表面包括附接预制的波长转换构件使得第二区布置在半导体发光器件与第一区之间。

15.如权利要求8所述的用于制造半导体结构的方法，其中第一和第二波长转换材料发射不同颜色的光。