[发明专利]含Cr奥氏体合金及其制造方法

权利要求书

1.一种含Cr奥氏体合金，其特征在于，其为在表面形成有厚度为5nm以上的铬氧化物覆膜的含Cr奥氏体合金，母材的Mn含量以质量％计不足0.1％。

2.根据权利要求1所述的含Cr奥氏体合金，其特征在于，母材的化学组成以质量％计包含C：0.15％以下、Si：1.00％以下、Mn：不足0.1％、P：0.030％以下、S：0.030％以下、Cr：10.0～40.0％、Ni：8.0～80.0％、Ti：0.5％以下、Cu：0.6％以下、Al：0.5％以下以及N：0.20％以下、和余量Fe以及杂质。

3.根据权利要求1或2所述的含Cr奥氏体合金，其特征在于，铬氧化物覆膜的厚度不足180nm。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的含Cr奥氏体合金，其特征在于，铬氧化物覆膜的厚度为50nm以下。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的含Cr奥氏体合金，其特征在于，铬氧化物覆膜中的表层中的Mn/Cr比以原子比计为0.00001以上且不足0.05。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的含Cr奥氏体合金，其特征在于，含Cr奥氏体合金用作原子能设备用构件。

7.一种含Cr奥氏体合金的制造方法，其为制造权利要求1～6中任一项所述的含Cr奥氏体合金的方法，其特征在于，在使非氧化性气体中含有水蒸气的混合气体气氛中将母材的Mn含量以质量％计不足0.1％的含Cr奥氏体合金的表面加热至600～1200℃的温度域，在含Cr奥氏体合金的表面形成铬氧化物覆膜。

8.根据权利要求7所述的含Cr奥氏体合金的制造方法，其特征在于，水蒸气浓度为1000ppm以下。