[发明专利]可再构成的半导体装置有效

专利信息
申请号: 201380016484.2 申请日: 2013-02-14
公开(公告)号: CN104205639B 公开(公告)日: 2019-07-23
发明(设计)人: 佐藤正幸;佐藤幸志 申请(专利权)人: 太阳诱电株式会社
主分类号: H03K19/177 分类号: H03K19/177
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 路勇
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 构成 半导体 装置
【说明书】:

本发明提供一种可再构成的半导体装置。本发明提供一种半导体装置,包括配置成阵列状的多个电路单元,所述各电路单元包括模拟数字转换器、数字模拟转换器、及运算放大器,由所述电路单元的模拟数字转换器、数字模拟转换器及运算放大器对作为再构成对象的模拟电路分割为多个功能模块,并对功能模块进行电路构成,且将该电路构成的多个电路单元中的任一个互相以模拟开关连接,由此构成所述再构成对象的模拟电路。

技术领域

本发明涉及一种可再构成的半导体装置。

背景技术

近年来,通过半导体制造制程的微细化所引起的高集成化,而在一个LSI(LargeScale Integration,大型集成电路)上集成有系统的大部分的SoC(System-on-a-Chip,芯片上系统)变得普遍。如果将SoC与在基板上安装有多个单功能LSI的情况进行比较,则产生印刷基板上的占有面积的削减、高速化、低消耗电力、成本降低等许多优点。

SoC因在芯片上实现模拟电路,所以仅存在与LSI不同的问题。例如,于在一个芯片内部有多个独立的电源区域,且各自独立地进行电源阻断控制的情况下,关于芯片内的信号配线产生课题。因此,作为观测LSI内部的电压变动的机构,提供一种半导体装置,包括:电压监控器,利用包含与构成逻辑电路的MISFET(Metal-Insulator-SemiconductorField-Effect Transistor,金属绝缘半导体场效应晶体管)相同的第1栅极绝缘膜厚的MISFET的环式振荡器(Ring Oscillator),将电压变动转换为频率变动;及放大电路,用以使其输出信号向LSI外部输出;且所述电压监控器包含阈值较小的MISFET,以便即使电源电压为更低的值也进行动作(专利文献1)。

[背景技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开2012-4582号公报

发明内容

[发明要解决的问题]

以往,以SoC为代表,模拟电路在芯片内集成化。然而,这些模拟电路为针对于每个芯片而不同的电路构成,所以必须针对每个芯片开发进行电路设计。另外,提出有将SoC内部细分化为多个独立的电源区域且使各者独立地进行电源阻断的SoC,但完全未提出使模拟电路本身可再构成的半导体装置。本申请人开发出通过使模拟电路本身可再构成,而可构成各种模拟电路的半导体装置。

一实施方式的半导体装置的目的在于,将多个电路单元配置成阵列状而进行再构成。

[解决问题的技术手段]

解决所述课题的方式是通过以下的项目表示。

1.一种半导体装置,其特征在于:是可再构成的半导体装置;且

包括配置成阵列状的多个电路单元;

所述各电路单元包括模拟数字转换器、数字模拟转换器、及运算放大器(operational amplifier);

由所述电路单元的模拟数字转换器、数字模拟转换器及运算放大器对将成为再构成对象的模拟电路分割为多个功能方块的功能方块进行电路构成,且将该电路构成的多个电路单元中的任一个互相以模拟开关(analog switch)连接,由此构成所述再构成对象的模拟电路。

2.根据项目1所述的半导体装置,其中所述多个电路单元是通过配置在下部的配线板而互相连接。

3.根据项目1或2所述的半导体装置,其还包括存储器。

4.根据项目3所述的半导体装置,其中所述存储器存储成为所述再构成对象的模拟电路的电路描述;且

所述各电路单元以如下方式动作:当起动时读取所述电路描述,并通过所述模拟开关而再构成所述各电路单元内的电路。

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