[发明专利]外延掺杂的锗锡合金的形成方法

权利要求书

1.一种在基板上选择性形成掺杂的GeSn层的方法，所述方法依序包括以下步骤：

将基板定位在处理腔室中，其中所述基板包括介电表面与非介电表面二者；

将锗氢化物前驱物、锡卤化物和掺杂剂共同流入所述处理腔室中，所述锗氢化物的通式为Ge_nH_(2n+2)，其中n大于1；

外延生长GeSn层，直到达到期望的层厚度为止；

将包含卤化物气体的蚀刻剂流进所述处理腔室中；和

重复所述外延生长和蚀刻步骤，直到具有期望的整体厚度的GeSn层选择性生长在非介电表面上为止。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述卤化物气体是氯气或氯化氢。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述GeSn层含有浓度为介于0.5原子％至12原子％之间的锡。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述掺杂剂包含乙硼烷(B₂H₆)、膦(PH₃)、或胂(AsH₃)的一或多者。

5.如权利要求1所述的方法，其中温度维持在约300℃至约450℃。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻步骤也包括以下步骤：流入所述掺杂剂和所述锡前驱物。

7.一种在基板上选择性形成掺杂的GeSn层的方法，所述方法包括以下步骤：

将所述基板定位在处理腔室中；

将锗氢化物前驱物、锡卤化物、掺杂剂与蚀刻剂共同流入所述处理腔室中，所述锗氢化物的通式为Ge_nH_(2n+2)，其中n大于1，而所述蚀刻剂包含卤素气体；和

外延生长GeSn层，直到生长期望的整体厚度为止，其中所述蚀刻剂将防止GeSn生长于介电层上。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述卤素气体是氯气或氯化氢。

9.如权利要求7所述的方法，其中所述GeSn层含有浓度为介于0.5原子％至12原子％之间的锡。

10.如权利要求7所述的方法，其中所述掺杂剂包含乙硼烷(B₂H₆)、膦(PH₃)、或胂(AsH₃)的一或多者。

11.如权利要求7所述的方法，其中温度维持在约300℃至约450℃。

12.一种半导体基板，所述半导体基板包括：

上表面，所述上表面具有介电区域与半导体区域二者；和

受掺杂的导电锗锡层，沉积在所述半导体区域上，且具有在所述层内改变的锡与掺杂剂浓度。

13.如权利要求12所述的基板，其中所述锡浓度的改变是限制在一定厚度区域，所述厚度区域是在基板与所述锗锡层之间的界面附近。

14.如权利要求12所述的基板，其中所述锡浓度的改变是限制在离基板与所述锗锡层之间的界面最远处的一定厚度区域以及离基板与所述锗锡层之间的界面最近处的一定厚度区域。

15.如权利要求12所述的基板，其中所述掺杂剂包含硼、磷、或砷的一或多者。