[发明专利]包括高温破碎步骤的制备沉淀二氧化硅的方法有效
| 申请号： | 201380015650.7 | 申请日： | 2013-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN104254492B | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | E.富尼耶;S.内沃;J.拉西努 | 申请（专利权）人： | 罗地亚运作公司 |
| 主分类号： | C01B33/193 | 分类号： | C01B33/193 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 黄念,林森 |
| 地址： | 法国欧*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 包括 高温 破碎 步骤 制备 沉淀 二氧化硅 方法 | ||
1.一种用于制备沉淀二氧化硅的方法，包括硅酸盐与酸化剂的反应，以便获得沉淀二氧化硅的悬浮液（S1），之后是分离阶段，以便获得滤饼，之后是所述滤饼的崩解阶段，以便获得沉淀二氧化硅的悬浮液（S2），之后是此悬浮液的干燥阶段，在该方法中在50°C至120°C之间的温度下进行该崩解阶段。
2.如权利要求1所述的方法，其中该崩解阶段是在50°C至100°C之间的温度下进行。
3.如权利要求1所述的方法，其中该崩解阶段是在70°C至90°C之间的温度下进行。
4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中该崩解阶段包括加入水蒸汽。
5.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中该崩解阶段包括加热阶段。
6.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中该崩解阶段包括加热阶段，在其前面有预加热该滤饼的阶段。
7.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中该崩解阶段的持续时间是5分钟至120分钟。
8.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中经受了该崩解阶段的滤饼具有至少10 wt.%的干物质含量。
9.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中经受了该崩解阶段的滤饼具有在10 wt.%至40 wt.%之间的干物质含量。
10.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中经受了该崩解阶段的滤饼具有在15 wt.%至35 wt.%之间的干物质含量。
11.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中从该崩解阶段得到的沉淀二氧化硅的悬浮液（S2）具有至少10 wt.%的干物质含量。
12.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中该分离阶段由过滤阶段，必要时，随后的洗涤阶段组成。
13.如权利要求12所述的方法，其中该过滤阶段采用回转式真空过滤器或压滤器进行。
14.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中该干燥阶段通过雾化进行。
15.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中使从该干燥阶段得到的产物经受研磨阶段。
16.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中使从该干燥阶段得到的产物经受聚结阶段。
17.如权利要求15所述的方法，其中使从该研磨阶段得到的产物经受聚结阶段。
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