[发明专利]PN结构栅解调像素

权利要求书

1.一种解调像素，包括：

基底，在其中生成光电荷，所述基底包括具有光栅区域和集成区域的解调部分，所述基底还包括感测节点区域；以及

所述基底上的栅层，所述栅层包括多个交替的p掺杂和n掺杂区域，形成平行于所述基底的表面的一系列p-n结，所述栅层设置在所述基底上并布置成具有施加于所述p掺杂和n掺杂区域的不同的各个电位，由此在所述基底上产生用于将光电荷交替地传递至集成区域的不同区域以及从所述集成区域到所述感测节点的各个节点的电位分布，

其中，所述栅层的p掺杂和n掺杂区域限定光栅、在所述光栅的每一侧具有双p-n布置的各个切换栅、与每个所述切换栅相邻的各个集成栅、以及与各所述集成栅相邻的各个输出栅。

2.如权利要求1所述的解调像素，其中对所述p掺杂和n掺杂区域施加各个电压使得所述p-n结被反向偏置。

3.如权利要求1所述的解调像素，其中以增加方式对从切换栅到所述光栅到切换栅的各个栅施加各个电压。

4.如权利要求1所述的解调像素，其中所述p掺杂和n掺杂区域具有彼此基本相同尺寸。

5.如权利要求1所述的解调像素，其中所述光栅和所述集成栅是所述栅层的n掺杂区域，而所述输出栅是所述栅层的p掺杂区域。

6.如权利要求5所述的解调像素，其中在集成期间，所述集成栅具有高于其他栅的电位的施加电位。

7.如权利要求5所述的解调像素，其中在集成期间，所述输出栅具有低于其他栅电位的施加电位，从而对每个所述集成区域及其各个感测节点区域之间的电子流动提供屏障。

8.如权利要求1所述的解调像素，其中所述栅层由p掺杂和n掺杂多晶硅构成。

9.如权利要求1所述的解调像素，进一步包括：

转储节点，在解调循环之前清除光生电荷。