[发明专利]具有线形翅片场效应结构的电路

说明书

背景技术

已知光学平版印刷在193nm光波长以及1.35数值孔径（NA）浸没系统下已经达到其能力的限度。这种设备的最小直线分辨率能力在近似80nm的特征至特征间距的情况下为近似40nm。低于大约80nm的特征至特征间距要求可能针对给定芯片层级内的给定结构类型要求多个图案化步骤。另外，随着平版印刷被朝着其分辨率极限推进，线端分辨率变得更有挑战性。在半导体器件布局中，处于32nm临界尺寸的典型金属线间距近似为100nm。为了达到特征缩放的成本益处，0.7至0.75的缩放因子是想要的。用以达到22nm临界尺寸的大约0.75的缩放因子将会要求大约75nm的金属线间距，这低于当前单次曝光平版印刷系统和技术的能力。正是在此情形下本发明出现。

发明内容

在一个实施例中，半导体器件包括：衬底、第一晶体管和第二晶体管。所述第一晶体管具有在第一扩散翅片内的源极区域和漏极区域。所述第一扩散翅片被构造为从所述衬底的表面突出。所述第一扩散翅片被构造为在第一方向上纵向地从所述第一扩散翅片的第一端延伸到所述第一扩散翅片的第二端。所述第二晶体管具有在第二扩散翅片内的源极区域和漏极区域。所述第二扩散翅片被构造为从所述衬底的表面突出。所述第二扩散翅片被构造为在所述第一方向上纵向地从所述第二扩散翅片的第一端延伸到所述第二扩散翅片的第二端。所述第二扩散翅片被定位成挨着所述第一扩散翅片并且与所述第一扩散翅片间隔开。另外，所述第二扩散翅片的所述第一端或是所述第二端被定位成在所述第一方向上在所述第一扩散翅片的所述第一端与所述第二端之间。

在一个实施例中，公开了制造半导体器件的方法。所述方法包括提供衬底。所述方法还包括：在所述衬底上形成第一晶体管，以使得所述第一晶体管具有在第一扩散翅片内的源极区域和漏极区域，以及以使得所述第一扩散翅片被形成以从所述衬底的表面突出，以及以使得所述第一扩散翅片被形成以在第一方向上纵向地从所述第一扩散翅片的第一端延伸到所述第一扩散翅片的第二端。所述方法还包括：在所述衬底上形成第二晶体管，以使得所述第二晶体管具有在第二扩散翅片内的源极区域和漏极区域，以及以使得所述第二扩散翅片被形成以从所述衬底的表面突出，以及以使得所述第二扩散翅片被形成以在所述第一方向上纵向地从所述第二扩散翅片的第一端延伸到所述第二扩散翅片的第二端，以及以使得所述第二扩散翅片被形成在挨着所述第一扩散翅片的位置处并且与所述第一扩散翅片间隔开。另外，所述第一晶体管和所述第二晶体管被形成以使得所述第二扩散翅片的第一端或是第二端被形成在所述第一方向上在所述第一扩散翅片的第一端与第二端之间的位置处。

在一个实施例中，数据存储器件具有存储于其上的用于再现半导体器件的布局的计算机可执行程序指令。所述数据存储器件包括：用于限定要被形成在衬底上的第一晶体管的计算机程序指令，以使得所述第一晶体管被限定为具有在第一扩散翅片内的源极区域和漏极区域，以及以使得所述第一扩散翅片被限定为从所述衬底的表面突出，以及以使得所述第一扩散翅片被限定为在第一方向上纵向地从所述第一扩散翅片的第一端延伸到所述第一扩散翅片的第二端。所述数据存储器件还包括用于限定要被形成在衬底上的第二晶体管的计算机程序指令，以使得所述第二晶体管被限定为具有在第二扩散翅片内的源极区域和漏极区域，以及以使得所述第二扩散翅片被限定为从所述衬底的表面突出，以及以使得所述第二扩散翅片被限定为：在第一方向上纵向地从所述第二扩散翅片的第一端延伸到所述第二扩散翅片的第二端，以及以使得所述第二扩散翅片被限定为定位成挨着所述第一扩散翅片并且与所述第一扩散翅片间隔开，以及以使得所述第二扩散翅片被限定为使其第一端或是其第二端被定位在所述第一方向上在所述第一扩散翅片的第一端与第二端之间。

附图说明

图1A和图1B示出根据本发明一些实施例的翅片场效应晶体管的示例布局视图。

图1C示出根据本发明一些实施例的图1A/1B的翅片场效应晶体管的其中扩散翅片102在垂直截面视图A-A中更加为金字塔形状的变形。

图1D示出根据本发明一些实施例的具有形成于其上的多个翅片场效应晶体管的衬底的简化垂直截面视图。

图1E示出根据本发明一些实施例的其中内部翅片间距Ps1基本上等于外部翅片间距Ps2的翅片间距关系的示图。

图1F示出根据本发明一些实施例的其中有理数分母（y）为2的图1E的翅片间距关系示图的变形。

图1G示出根据本发明一些实施例的其中有理数分母（y）为3的图1E的翅片间距关系示图的变形。