[发明专利]具有线形翅片场效应结构的电路

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

第一晶体管，具有在第一扩散翅片内的源极区域和漏极区域，所述第一扩散翅片被构造为从所述衬底的表面突出，所述第一扩散翅片被构造为：在第一方向上纵向地从所述第一扩散翅片的第一端延伸到所述第一扩散翅片的第二端；

第二晶体管，具有在第二扩散翅片内的源极区域和漏极区域，所述第二扩散翅片被构造为从所述衬底的所述表面突出，所述第二扩散翅片被构造为：在所述第一方向上纵向地从所述第二扩散翅片的第一端延伸到所述第二扩散翅片的第二端，所述第二扩散翅片被定位成挨着所述第一扩散翅片旁边并且与所述第一扩散翅片间隔开，

其中，所述第二扩散翅片的所述第一端或所述第二端被定位成在所述第一方向上在所述第一扩散翅片的所述第一端与所述第二端之间。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管位于所述第二方向上的不同位置处。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每一个是三维地选通的晶体管。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一晶体管包括：第一线形形状的栅极电极结构，其在如从所述衬底之上看去那样与所述第一方向垂直的所述第二方向上纵向地延伸，

其中，所述第二晶体管包括：第二线形形状的栅极电极结构，其在如从所述衬底之上看去那样与所述第一方向垂直的所述第二方向上纵向地延伸，

其中，所述第一扩散翅片的所述第一端和所述第二端中的至少一个在所述第一方向上定位在所述第一线形形状的栅极电极结构与所述第二线形形状的栅极电极结构之间，以及

其中，所述第二扩散翅片的所述第一端和所述第二端中的至少一个在所述第一方向上定位在所述第一线形形状的栅极电极结构与所述第二线形形状的栅极电极结构之间。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一线形形状的栅极电极结构被定位成挨着所述第二线形形状的栅极电极结构并且与所述第二线形形状的栅极电极结构间隔开。

6.如权利要求4所述的半导体器件，还包括：

线形形状的局部互连部结构，其在所述第二方向上延伸，并且定位在所述第一线形形状的栅极电极结构与所述第二线形形状的栅极电极结构之间。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其中，所述线形形状的局部互连部结构基本上在所述第一线形形状的栅极电极结构与所述第二线形形状的栅极电极结构之间在所述第一方向上居中。

8.如权利要求6所述的半导体器件，其中，所述线形形状的局部互连部结构连接到所述第一扩散翅片和所述第二扩散翅片中的一个或更多个。

9.如权利要求4所述的半导体器件，还包括：

线形形状的局部互连部结构，其在所述第一方向上延伸，并且定位在所述第一扩散翅片与所述第二扩散翅片之间。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其中，所述线形形状的局部互连部结构基本上在所述第一扩散翅片与所述第二扩散翅片之间在所述第二方向上居中。

11.如权利要求9所述的半导体器件，其中，所述线形形状的局部互连部结构连接到所述第一栅极电极结构和所述第二栅极电极结构中的一个或更多个。

12.如权利要求9所述的半导体器件，其中，所述线形形状的局部互连部结构是第一线形形状的局部互连部结构，所述半导体器件还包括：第二线形形状的局部互连部结构，其在所述第二方向上延伸，并且定位在所述第一线形形状的栅极电极结构与所述第二线形形状的栅极电极结构之间。

13.如权利要求12所述的半导体器件，其中，所述第二线形形状的局部互连部结构基本上在所述第一线形形状的栅极电极结构与所述第二线形形状的栅极电极结构之间在所述第一方向上居中。

14.如权利要求12所述的半导体器件，其中，所述第二线形形状的局部互连部结构连接到所述第一扩散翅片、所述第二扩散翅片中的一个或更多个。

15.如权利要求12所述的半导体器件，其中，所述第一线形形状的局部互连部结构是二维地变化的非线形局部互连部结构的第一线形区段，其中，所述第二线形形状的局部互连部结构是所述二维地变化的非线形局部互连部结构的第二线形区段。